জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।
উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
সঠিক উত্তরঃ
A.
+ 0.32 V
Another Explanation (5): প্রশ্নের তথ্য অনুযায়ী, জিংক (Zn) এবং আয়রন (Fe) দ্বারা গঠিত তড়িৎ রাসায়নিক কোষের সেল বিভব নির্ণয় করতে হবে।
### দেওয়া তথ্য:
- জিংকের স্ট্যান্ডার্ড বিজারণ বিভব (E°₁): **-0.76V**
- আয়রনের স্ট্যান্ডার্ড বিজারণ বিভব (E°₂): **-0.44V**
### ধারণা:
- কোষের সেল বিভব = ক্যাথোডের (অক্সিডেশনের জন্য ধাতু) বিভব - অ্যানোডের (অক্সিডাইজেশনের জন্য ধাতু) বিভব
- সাধারণত, ধাতুটি যেখানে কম বিজারণ বিভব থাকে, সেটি অ্যানোড হিসেবে কাজ করে (অক্সিডেশন করে), এবং যেখানে বেশি বিজারণ বিভব থাকে, সেটি ক্যাথোডে কাজ করে (অক্সিডেশন থেকে রিডাকশন হয়)।
### ধাপসমূহ:
1. **অ্যানোডে (ধাতু যেখানে অক্সিডেশন হয়):** ধাতুটি যার বিজারণ বিভব কম (অর্থাৎ, বেশি ধনাত্মক বা কম ধনাত্মক হতে পারে)।
2. **ক্যাথোডে:** ধাতুটি যেখানে রিডাকশন হয়, সেটি হবে যার বিজারণ বিভব বেশি বা কম ধনাত্মক।
### উপযুক্ত ধাতুর নির্বাচন:
- যদি ধাতু A এর বিজারণ বিভব B এর চাইতে বেশি ধনাত্মক (অর্থাৎ, তার মান বড়), তবে ধাতু A ক্যাথোডে কাজ করবে।
- এখানে, জিংকের বিভব (-0.76V) আয়রনের বিভব (-0.44V) থেকে কম।
- তাই, **আয়রন (Fe)** ক্যাথোডে থাকবে এবং জিংক (Zn) অ্যানোডে।
### সেল বিভব গণনা:
\[
E_\text{cell} = E^\circ_{\text{cathode}} - E^\circ_{\text{anode}}
\]
- ক্যাথোড: আয়রন (Fe) = **-0.44V**
- অ্যানোড: জিংক (Zn) = **-0.76V**
অতএব,
\[
E_\text{cell} = (-0.44V) - (-0.76V) = -0.44V + 0.76V = 0.32V
\]
### ফলাফল:
**সেল বিভব = +0.32V**
### সংক্ষেপে:
- **অ্যানোডে জিংক (Zn)**, যেখানে অক্সিডেশন হয়।
- **ক্যাথোডে আয়রন (Fe)**, যেখানে রিডাকশন হয়।
- সেল বিভব = **0.32V**।
**অতএব, উত্তর: + 0.32 V**।