কোন চাপের জন্য ধাতু বা H₂ গ্যাস তড়িৎ বিশ্লেষণকালে দ্রবণে যাওয়ার বিপরীতে বাধা অনুভব করে?
A. দ্রবণ চাপ
B. অসমোটিক চাপ
C. তড়িৎ চাপ
D. আয়ন চাপ
qb5রসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়নতড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজ (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
অসমোটিক চাপ
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- কোনটি সবচেয়ে কম সক্রিয় ধাতু-
- Zn/Zn2+।। Cu2+/Cu, EMF কত হবে তা হিসাব কর। এক্ষেত্রে Zn2+ এর ঘনমাত্রা 0.10 mol L-1 এবং Cu2+ এর ঘনমাত্রা 0.05 molL-1 । 298k তাপমাত্রায় E0 Zn/Zn2+=0.70 V এবং E0 Cu/Cu2+ =-0.34V
- কোনটি অধিক তীব্র বিজারক?
- নিচের কোনটি কোষ বিভবের সমীকরণ নয় ?
- (b) HNO3, এবং H3PO4, এর মধ্যে কোনটি অধিক শক্তিশালী? তোমার উত্তরের যথার্থতা ব্যাখ্যা কর।
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- (i)E°A2+(aq)/A(s)=+0.20 volt(ii)E°B2+(aq)/B(s)=-0.62 volt(iii)E°X2+(aq)/X(s)=-0.80 voltB2+ এর দ্রবন 'A' এবং 'X' ধাতু নির্মিত কোন পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- (i)Al(s)/Al3+(aq)||X2+/X(s)(ii)Al(s)/Al3+(aq)||Y2+(aq)/Y(s)E°X/X2+=+0.14 V, E°Al/Al3+=+1.66 V; E°Y/Y2+=+0.25 V (i) নং ও (ii) নং কোষের মধ্যে কোনটি থেকে অধিক তড়িৎশক্তি পাওয়া যাবে
- প্রমাণ জারণ বিভব কী?
- Pt,1/2 H2(g)/H+(aq) ∥ Cu2+(aq)/Cu(s),E°Cu2+(aq)/Cu(s)=+0.34V কোষটির জন্য ইএমএফ এর মান কোনটি?
- কোনটি সঠিক?
- নিচের কোনটি কম শক্তিশালী?
- তিনটি তড়িৎদ্বার ও তাদের তড়িৎদ্বার বিভব দেয়া আছে,Zn(s)/Zn2+(aq) Eo = +0.76VFe(s)/Fe2+(aq) Eo = +0.44VCu(s)/Cu2+(aq) Eo = -0.34Vতড়িৎদ্বার তিনটি দ্বারা গঠিত দুটি কোষ হল—Zn(s)/Zn2+(aq) || Cu2+(aq) /Cu(s)কোষ দুটিতে কোষ বিভবের মান যথাক্রমে—
- নিচের কোনটি সঠিক?
- মুক্ত শক্তির পরিবর্তন (ΔG) ঋণাত্মক হলে, তড়িৎ কোষে বিক্রিয়াটি কেমন হবে?
- লোহাকে মরিচা পড়া থেকে রক্ষার জন্য কোন ধাতুর প্রলেপ দেওয়া হয়?
- ppm তাপমাত্রার উপর নির্ভর করবে কি? ব্যাখ্যা করো। [C-2.4.5, S.B-SciCQ2 : 2023-24]
- তিনটি তড়িৎদ্বার ও তাদের তড়িৎদ্বার বিভব দেয়া আছে,Zn(s)/Zn2+(aq) Eo = +0.76VFe(s)/Fe2+(aq) Eo = +0.44VCu(s)/Cu2+(aq) Eo = -0.34Vতড়িৎদ্বার তিনটি দ্বারা গঠিত দুটি কোষ হল—Zn(s)/Zn2+(aq) || Cu2+(aq) /Cu(s)গঠিত কোষসমূহে কোন তড়িৎদ্বার হতে ধনাত্মক আয়ন দ্রবণে প্রবেশ করবে?
- 300C P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1MQ3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5MR2+(aq)/R(s) = +0.44Vউদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।