প্রশ্ন-১৪৬নিচের বর্তনীগুলিতে কোন ডায়োডটি বিপরীত বায়াসে যুক্ত?
A.
B.
C.
D.
Onushiloni MCQ HSCপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সIshaque (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
Explanation:
এক্ষেত্রে ভোল্টেজ বৃদ্ধি পেয়েছে তাই এটিই বিপরীত বায়াস।
এক্ষেত্রে ভোল্টেজ বৃদ্ধি পেয়েছে তাই এটিই বিপরীত বায়াস। Related Questions (Any University/Year)
- প্রশ্ন-১০৮Si-এর নী ভোন্টেজ কত?
- প্রশ্ন-১০০Ge-এর তৈরি একটি P ডায়োডকে সম্মুখী ঝোঁকে সংযুক্ত করায় নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল ।লেখচিত্র OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে বলে-
- প্রশ্ন-৫দিক পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তরিত করে-
- প্রশ্ন-৪২AND গেট ব্যবহৃত হয় -
- প্রশ্ন-১১৮2.5 eV নিষিদ্ধ অঞ্চলের শক্তি পার্থক্য (band gap) বিশিষ্ট একটি অর্ধপরিবাহীকে p-n ফটো ডায়োড তৈরিতে ব্যবহার করা হয়েছে। এটি যে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সংকেত অবেক্ষণ (detect) করতে পারে তা হলো-
- প্রশ্ন-১২২n -টাইপ অর্ধ পরিবাহীর জন্য আধান বাহক হিসেবে নিচের কোনটি সঠিক?
- প্রশ্ন-১৪৭বাইনারি সংখ্যা (1111111) কে বাইনারি সংখ্যা (101) দ্বারা ভাগ করলে ভাগশেষ-
- প্রশ্ন-১৩৯পরম শূন্য উষ্ণতায় একটি অর্ধপরিবাহী নিম্নের কোনটির মতো আচরণ করে?
- প্রশ্ন-৫৮চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কি?
- প্রশ্ন-৩২কোন গেটের সকল ইনপুট 1 হলে আউটপুট 1 হয়?
- প্রশ্ন-১৩৫বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সঙ্গে কোন অপদ্রব্য মেশালে p- টাইপ অর্ধপরিবাহী উৎপন্ন হবে?
- প্রশ্ন-১৫০পরিবাহী পদার্থের যোজন ব্যান্ড ও পরিবহণ ব্যান্ডের মধ্যে শক্তি ব্যবধান-
- প্রশ্ন-৩৬নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- প্রশ্ন-১১২অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?
- প্রশ্ন-৫৩A=(101101)2 , B=(101)2 , C=(110111)2বাইনারিতে A×C নিচের কোনটি?
- প্রশ্ন-৪৭চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- প্রশ্ন-৪৮বাইনারি নাম্বার (10111)2 এর ডেসিমেল নাম্বার কোনটি?
- প্রশ্ন-৭৪কোন গেইটটি OR এবং NOT গেইট দিয়ে তৈরি?
- প্রশ্ন-১৩৩পাশের ট্রুথ টেবিলে A এবং B ইনপুট এবং Y আউটপুট। ওই ট্রুথ টেবিল কোন গেটের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য?
- প্রশ্ন-৯কমন এমিটারে অ্যামপ্লিফায়ারে ইনপুট ও আউটপুট সিগন্যালের মধ্যকার দশা পার্থক্য-