অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য এদের রোধকত্ব প্রায় 10-4 Ω পরমশূন্য তাপমাত্রা এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করেপরিবহন ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী দূরত্ব 1.1eV অপেক্ষা কমনিচের কোনটি সঠিক?

Another Explanation (5): অর্ধপরিবাহী (Semiconductor) সম্পর্কিত উপাদানগুলি সাধারণত বিশেষ বৈশিষ্ট্য প্রদর্শন করে, যা তাদের বিভিন্ন বৈশিষ্ট্য ও কার্যকারিতার জন্য গুরুত্বপূর্ণ। চলুন প্রতিটি বিবৃতির বৈজ্ঞানিক ব্যাখ্যা দেখি:

এদের রোধকত্ব প্রায় 10^-4 Ω:
অর্ধপরিবাহী উপাদানের রোধকত্ব সাধারণত বেশি হয়, কিন্তু ধ্রুবক তাপমাত্রায় এটির মান খুবই কম, সাধারণত 10^-4 Ω থেকে 10³ Ω এর মধ্যে হতে পারে।
তবে, এই মানটি অধিকাংশ অর্ধপরিবাহীর জন্য সাধারণত কম, বিশেষ করে ডায়োড বা ট্রানজিস্টরের ক্ষেত্রে।
অতএব, এই বিবৃতি আংশিক সত্য, তবে এটি নির্ভুলভাবে অর্ধপরিবাহীর জন্য মানানসই নয় সব পরিস্থিতিতে।
পরমশূন্য তাপমাত্রা এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করে:
অর্ধপরিবাহী উপাদানের জন্য "পরমশূন্য তাপমাত্রা" অর্থাৎ 0 K এ, এটির বৈদ্যুতিক রোধ অপ্রতিরোধ্যভাবে বৃদ্ধি পায়।
অর্থাৎ, খুবই কম তাপমাত্রায় অর্ধপরিবাহী উপাদান অন্তরক হিসেবে কাজ করে।
অতএব, এই বিবৃতি সঠিক।
পরিবহন ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী দূরত্ব 1.1 eV অপেক্ষা কম:
অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য অনুযায়ী, যোজন (Valence) ব্যান্ড ও পরিবহন (Conduction) ব্যান্ডের মধ্যবর্তী দূরত্ব বা ব্যান্ড গ্যাপ সাধারণত 1 eV থেকে 3 eV এর মধ্যে হয়।
কিছু অর্ধপরিবাহী যেমন সিলিকন বা আর্সেনিকের জন্য এটি প্রায় 1.1 eV।
অতএব, এই বিবৃতি সঠিক।

**সুতরাং, উপরের তিনটি বিবৃতি সবই সঠিক।** **উত্তর: i, ii ও iii**

একাউন্টে প্রবেশ করুন