প্রশ্ন-১০৯কোষের স্বতঃস্ফূর্ততার শর্ত-
- Eocell এর মান +(ve) হলে
- ΔGo এর মান -(ve) হলে
- ΔGo এর মান +(ve) হলে
A. i ও ii
B. ii ও iii
C. i ও iii
D. i, ii ও iii
Onushiloni MCQ HSCরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়নHazari (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
i ও ii
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- প্রশ্ন-১৪৪কোষ বিক্রিয়াঃ H2(g) + Cu2+(aq) → 2H+(aq) + Cu(s)E0Cu/Cu2+ তড়িৎদ্বারের বিভব মান কত?
- প্রশ্ন-৫১Zn(s)|Zn2+(aq)||Cu2+(aq)|Cu(s); কোষটির ক্যাথোডে কোন বিক্রিয়াটি ঘটে?
- প্রশ্ন-৪৬অ্যানোড তড়িৎদ্বারের কী ঘটে?
- প্রশ্ন-৮৪নিচের কোন কোষ ডায়াগ্রাম সঠিক?
- প্রশ্ন-৩৩মুখ্য নির্দেশক তড়িৎদ্বার হিসেবে ব্যাবহৃত হয় কোনটি?
- প্রশ্ন-১৮এক মোল বা 27 g Al ক্যাথোডে জমা করতে কি পরিমাণ বিদ্যুৎ লাগবে?
- প্রশ্ন-৭৪লেড স্টোরেজ সেলে কোনটি বিজারিত হয়?
- প্রশ্ন-২৩Zn ও Ag তড়িৎদ্বারের বিভব যথাক্রমে +0.76 V ও -0.80 V তবে ; Zn/Zn2+|Ag+/Ag কোষের emf হবে কোনটি?
- প্রশ্ন-৪২সক্রিয়তা সিরিজে কোনটির অবস্থান উপরে?
- প্রশ্ন-১৩CuSO4 দ্রবণে 1 F চার্জ দ্বারা ক্যাথোডে কত গ্রাম Cu জমা হবে?
- প্রশ্ন-৩১কোনটি প্রাইমারি নির্দেশক তড়িৎদ্বার?
- প্রশ্ন-৩সেমিকন্ডাক্টররূপে কোন মৌলটি ব্যবহৃত হয়?
- প্রশ্ন-১৫৪M/M2+ || N+/N; EoM/M2+= 0.76V, EoN/N+ = –0.40 Vকোষটির emf কত?
- প্রশ্ন-১৭Al3++3e → Al,এ বিক্রিয়ায় 9g Al উৎপাদনে কি পরিমাণ বিদ্যুৎ লাগবে?
- প্রশ্ন-৪১নিচের কোনটি ধাতু-ধাতব আয়ন তড়িৎদ্বার?
- প্রশ্ন-৯1 mol Ag ক্যাথোডে জমা করতে AgNO3 দ্রবনে কি পরিমাণ বিদ্যুৎ চলনা করতে হবে?
- প্রশ্ন-১০২A+ B2+ ও C3+ আয়নের দ্রবণে পৃথকভাবে 1.0 F বিদ্যুৎ চালনা করলে—1 mol A+ চার্জযুক্ত হবে2 mol B ক্যাথোডে জমা হবে ⅓ mol C3+ দ্রবণ হতে তড়িৎদ্বারে সঞ্চিত হবেনিচের কোনটি সঠিক?
- প্রশ্ন-৭৫NaCl এর জলীয় দ্রবণের তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি উৎপন্ন হয় না?
- প্রশ্ন-১৪৮ডান অর্ধকোষ উপেক্ষা করে Fe/FeSO4 অর্ধকোষ ব্যবহার করা হলে কোষ বিভব কত ভোল্ট হবে?
- প্রশ্ন-৪Zn এর তড়িৎ রাসায়নিক তুল্যাঙ্ক কত?