কোনো p-n জাংশনে 0.1V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 5 mA এবং 0.3V এর জন্য প্রবাহ 15 mA হলে গতীয় রোধ কত হবে?
A. 20 Ω
B. 2 Ω
C. 0.05 Ω
D. 5 Ω
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
20 Ω
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- Ge-এর তৈরি একটি P ডায়োডকে সম্মুখী ঝোঁকে সংযুক্ত করায় নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল ।লেখচিত্র OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে বলে-
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এর ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- PN-জাংশানে I - V লেখচিত্র মূল বিন্দুগামী সরলরেখা হয় কি? ব্যাখ্যা কর।
- P-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল -
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- উদ্দীপকে Ge ডায়োড কে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা
- নিচের কোনটি সেমিকন্ডাক্টরের পরিবাহিতার জন্য দায়ী?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী কী?
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড ওহমের সূত্র মেনে চলে কি-না-ব্যাখ্যা কর ।
- p-n জংশনের সংযোগস্থলে নিঃশেষিত স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- শুষ্ক ও আর্দ্র বায়ুতে শব্দের বেগ যথাক্রমে V_d,V_m এবং বায়ুর ঘনত্ব p_d,p_m হলে, এদের মধ্যে সম্পর্ক হল
- X ও Y যথাক্রমে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল। এদেরকে সিলিকন দণ্ডে ডোপিং করে তুমি একটি ডায়োড তৈরি করলে। এখন X মৌলকে অন্য একটি সিলিকন খন্ডের মাঝখানে ডোপিং করে একটি ট্রানজিস্টরও তৈরি করলে। এটি দেখে তোমার বন্ধু Y মৌলকে মাঝখানে ডোপিং করে আরেকটি ট্রানজিস্টর তৈরি করলো।তোমার তৈরিকৃত ডায়োডটির সম্মুখ ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁক এর বায়াস বর্তনী দেখাও।
- দিক পরিবর্তি প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রুপান্তরিত করে-
- p- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- একটি ট্রানজিস্টরের মাঝের অর্ধপরিবাহী \( p \)-টাইপের হলে কোন ট্রানজিস্টরটি সঠিক?
- p-n জাংশন কাকে বলে?
- ডায়োডের I-V লেখচিত্র হলে -CD অংশের গতীয় রোধ কত?
- ডোপিং কাকে বলে?
- পরিবর্তী প্রবাহের পূর্ণতরঙ্গ একমুখীকরণের জন্য সর্বনিম্ন কয়টি ডায়োড প্রয়োজন?