(i) বর্তনীর তড়িৎ প্রবাহ কত? (ii) Ge ডায়োডকে উল্টিয়ে দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত?
A.
B.
C.
D.
BUETপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)BUET - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- রিভার্স বায়াস ভোল্টেজ বৃদ্ধি করতে থাকলে ইলেকট্রনের গতিশক্তি
- যখন p-n জাংশন ডায়োডে সম্মুখী ঝোক প্রদান করা হয় তখন প্রবাহ প্রধানত কিসের কারণে হয়?
- AC প্রবাহকে DC প্রবাহে রূপান্তর করতে কোন ডিভাইসটি ব্যবহার করবেন?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োড তৈরিতে প্রয়োজন-
- একটি JFET-এর IDSS = 10V, VGS = 10V হলে Input resistance কত?
- একটি silicon diode-এর ভিতর দিয়ে 50 mA কারেন্ট প্রবাহিত হলে Power dissipation কত হবে?
- সৌর কোষ তৈরিতে কোনটি ব্যবহৃত হয়?
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?
- কোনটি ইনপুট এসি সিগন্যালের ক্লিপিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হয়?
- A hole in a semiconductor is _______ charged.
- P টাইপ অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যালঘু আধান বাহক কোনটি?
- কোনটির দ্বারা বিপরীত বায়াসের বহিঃবর্তনীতে তড়িৎ প্রবাহ উৎপন্ন হয়?
- ঝোঁক প্রদানবিহীন অর্ধপরিবাহী ডায়োডের নিঃশেষিত
- JFET কে কি ধরনের ডিভাইস বলা হয়?
- Si-এর সাথে অপদ্রব্য হিসেবে As যোগ করলে কী তৈরি হবে?
- p টাইপ অর্ধপরিবাহীতে হোলের সংখ্যা (n_{p}) এবং ইলেকট্রন সংখ্যা (n_{e}) হলে, অতি উচ্চ তাপমাত্রায় নিচের কোনটি সঠিক?
- রেক্টিফায়ার ইনস্ট্রুমেন্টে রেক্টিফায়ার হিসাবে ব্যবহৃত হয় না-
- জাংশন ডায়োডে খালি অঞ্চলের সৃষ্টি হয়-
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সঙ্গে কোনো নির্দিষ্ট অপদ্রব্য মেশানো হলে এই মিশ্রণ পদ্ধতিকে কী বলা হয়?
- নিচের কোনটির দ্বারা সম্মুখবর্তী বায়াসের বহিঃবর্তনীতে তড়িৎ প্রবাহ উৎপন্ন হয়?
- সৌরকোষে কোনটি ব্যবহার করে?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- সিলিকনের সাথে কোন পদার্থ যোগ করলে তা p type এ পরিনত হয়?
- নিম্নে বর্তনীতে A =+5 V ও B=0 V হলে বর্তনীর আউটপুট ভোল্টেজ কত হবে?
- দিক পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে পরিণত করে কোনটি?
- কোন ভোল্টেজে পৌঁছে গেলে সাধারণত জাংশন ডায়োডের কার্যক্ষমতা বিনষ্ট হয়ে যায়?
- একটি একমুখীকারক রূপান্তরিত করে -
- রেকটিফায়ার বর্তনীতে ব্যবহৃত ট্রান্সফরমারের গৌণ কুণ্ডলীর পাক সংখ্যা মুখ্য কুণ্ডলীর পাক সংখ্যা অপেক্ষা-
- ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগের ফলে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান নিম্নের কোন মাত্রার হয়?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে সম্মুখবর্তী ভোল্টেজের মান কত?
- নীচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুটির নি- ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V 5.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হবে? Ge ডায়োড উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত হবে?
- ডায়োড কী ধরনের ডিভাইস?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে কী কী বলা হয়?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োড কে কি বলা হয়?
- ব্রেক ডাউন অবস্থায় কাজ করার জন্য ব্যবহার করা হয়-
- রেকটিফাইয়ার সাধারনত কত ধরনের হয়?
- যে কৌশলের সাহায্যে তড়িৎ প্রবাহকে একমুখী করা যায় অর্থাৎ এসিকে ডিসি করা যায় তাকে কি বলে?
- কোন p-n জাংশনে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন হয় 400 mA। এর গতীয় রোধ কত?
- চিত্রের বর্তনীতে, (i) S₁ খোলা, S₂ বন্ধ, (ii) S₂ খোলা, S₁ বন্ধ দুই ক্ষেত্রে, V₁ =? I₁ = ? [Ge Diode]
