\LASER\" এর পূর্ণ রূপ কী?"
A. Light Augmentation by Stimulated Emission of Radiation
B. Light Amplification by Stimulated Emission of Rays
C. Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
D. Light Amplification by Stimulated Emission of Electromagnetic Radiation
MEDICALপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)MEDICAL - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
Explanation: LASER এর পূর্ণ রূপ হলো Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation। সঠিক উত্তর C। A. Light Augmentation by Stimulated Emission of Radiation এবং B. Light Amplification by Stimulated Emission of Rays ভুল কারণ এরা LASER এর প্রকৃত অর্থ নির্দেশ করে না; D. Light Amplification by Stimulated Emission of Electromagnetic Radiation ভুল কারণ এটি অসংগত শব্দ সমন্বয়। নোট: LASER এর ক্রিয়াকলাপ আলো শক্তির নির্দিষ্ট প্রক্রিয়ার উপর নির্ভর করে।
Related Questions (Any University/Year)
- চিত্রের ডায়োডগুলো আদর্শ ডায়োড।Vin ইনপুট সিগন্যাল হলে, আউটপুট কোনটি?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- pn জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- ডোপিং কী?
- সম্মুখ ঝোঁক কাকে বলে?
- ব্রিজ রেকটিফিকেশনে কতটি জাংশন ডায়োড ব্যবহৃত হয়?
- n-type অর্ধপরিবাহী তৈরিতে অপদ্রব্য হিসেবে ব্যবহার করা হয় –
- একটি BJT এর জন্য α= 0.9 হলে, β এর মান কত হবে?
- একটি n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ইলেকট্রন সংখ্যা প্রোটন সংখ্যার তুলনায়-
- দ্বি- পোলার NPN জাংশন ট্রানজিস্টর কাজ করার জন্য নিঃসারকের সাপেক্ষে বিভিন্ন তড়িৎদ্বারের পোলারিটি –
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I=?
- The resistance of a conductor is not dependent on which of the following?
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর-
- অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে বলে-
- নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসাবে ব্যবহার করলে ρ - টাইপ অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?
- FET কি ধরনের ডিভাইস?
- নিচে একটি ডায়োডের V- I লেখচিত্র দেখানো হলঃঅনেকক্ষণ ধরে বিদ্যুৎ প্রবাহের জন্য BC অংশের প্রবাহের চেয়ে MN অংশের প্রবাহ বেশি নিরাপদ ব্যাখ্যা করো।
- আদর্শ p-n জাংশন রিভার্স বায়াসে থাকলে-
- What is the resistance of the junction if in a p-n junction for potential difference 0.2 V, 5 mA electric flow change is observed?
- -273° এর নিচে তাপমাত্রা থাকতে পারে না কেন? ব্যাখ্যা কর।
- বিপরীত ঝোঁক এর বৈশিষ্ট্য কোনটি?
- P-type অর্ধপরিবাহী কী?
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- নিচের কোন বাক্যটি সঠিক?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- একটি অর্ধ পরিবাহী পদার্থকে N-type এ রুপান্তরিত করলে , পর্যায়সারনীর কোন গ্রুপের পদার্থের প্রয়োজন?
- নিচের কোনটি p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ডোপেন্ট না?
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে হোল কিভাবে পরিবাহিতা সৃষ্টি করে?— ব্যাখ্যা কর।
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I =?
- ডোপিং কীভাবে অর্ধ পরিবাহীর তড়িৎ পরিবাহিতাকে প্রভাবিত করে ব্যাখ্যা কর।
- 2 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে প্রবাহ হবে—
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কী ডোপায়িত করা হয়?
- তড়িৎ উৎসের ধনাত্মক ও ঋনাত্বক প্রান্তকে যখাক্রমে p-n জংশনের সাথে যুক্ত করা হলে তাকে কী বলে?
- b)ট্রান্সডিউসার কি?
- কোনটি n টাইপ অর্ধপরিবাহীর ডোপেন্ট?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীতে ভেজাল মিশ্রিত করা হয় কেন- ব্যাখ্যা কর।
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড তৈরি করার জন্য প্রয়োজন-
- রেকটিফায়ার হিসাবে কাজ করে কোনটি?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে কারেন্টের সমীকরণ I_D = 10^-12 e^(v)/(2.5×10^-2) A যেখানে V হল ডায়োডের দু'প্রান্তের বিভব পার্থক্য। চিত্রে P বিন্দুতে ডায়োডের গতীয় রোধ কত?
