নিচের কোনটি n-p-n ট্রানজিস্টর?
A.
B.
C.
D.
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
A.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- বর্তনীতে ব্যবহৃত প্রতিটি ডায়োড অভিন্ন। এদের যে কোনোটির দুইপ্রান্তে 0.6 volt বিভব পার্থক্য সৃষ্টি করায় প্রবাহ 100 mA হতে 150 mA এ পরিবর্তিত হয়। আবার ব্রীজটির সাহায্যে AC Signal কে DC Signal এ রূপান্তর করতে গিয়ে দেখা গেল D4 ডায়োডটি নষ্ট।প্রতিটি ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় কর।
- চারটি ডায়োড ব্যবহার করে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেকটিফায়ার সার্কিট অঙ্কন করো।
- রেকটিফায়ার হতে বিশুদ্ধ DC পাবার জন্য কী করা উচিত?
- Input signal হলে, Vout কোনটি? [আদর্শ ডায়োড বিবেচনা কর]
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর-
- নিচের কোনটি এসি-কে ডিসি-তে রুপান্তরিত করে?
- বিমুখী বায়াস প্রদান করা হয় কোন জাংশনে?
- আলোক নিঃসারক ডায়োডে কোন শক্তি আলোক শক্তিতে রূপান্তরিত হয়?
- p-n জাংশনে 0.3V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য 6mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া যায়। জাংশনের গতীয় রোধ কত হবে?
- পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ারে সর্বোচ্চ কতটি ডায়োড প্রয়োজন?
- নিচের কোন গেইটটি AND এবং NOT গেইটের সমন্বয়ে তৈরি?
- ডোপিংকৃত অর্ধপরিবাহক তড়িৎ নিরপেক্ষ কি-না ব্যাখ্যা কর।
- লেখচিত্র হতে সম্মুখী ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁকের রোধের মান নির্ণয় করে তুলনা করো।
- p-n জাংশনে 300 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনে দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তিত হলে গতীয়রোধ কত?
- নিচের উদ্দীপক লক্ষ্য করো এবং প্রশ্নগুলির উত্তর দাও :A ও B যথাক্রমে ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল এদের দ্বারা সিলিকনকে ডোপিং করা যায়।যদি সিলিকন খন্ডের কিছু অংশ A মৌল এবং একই সাথে বাকী অংশে B মৌল ডোপিং করা হয় তবে প্রাপ্ত যন্ত্রাংশ কী কাজে ব্যবহার করা যেতে পারে? তা প্রয়োজনীয় চিত্রের সাহ???য্যে বর্ণনা কর।
- বিভব প্রাচীর অতিক্রমের জন্য নূন্যতম যে ভোল্টেজ প্রয়োজন তাকে বলে-
- p-n জাংশনের সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- উদ্দীপকে Ge ডায়োড কে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা
- একটি p-n জাংশনের রোধ 40Ω।0.2V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত?(mA)
- ডোপায়ন তড়িৎ প্রবাহে কী ভূমিকা রাখে- ব্যাখ্যা করো।