নিম্নের কোন ডিভাইসটি পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তর করে ?
A.

B.

C.

D.

পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
C.

Explanation:
Type explanation here...
Related Questions (Any University/Year)
- ডায়োডকে বিপরীত বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তরের বেধ এর কি হয়? (What happens to the width of the depletion layer if a diode is reverse biased?)
- ব্যাটারির ধনাত্মক প্রান্ত যখন p-n ডায়ডের p-প্রান্তে এবং ঋনাত্নক প্রান্ত যখন p-n ডায়োডের n প্রান্তে সংযুক্ত করা হয় তখন p-n ডায়োড -
- উদ্দীপকে একটি ডায়োডের 1- V লেখচিত্র দেখানো হলো। ডায়োডের গতীয় রোধ কত ?
- একটি p-টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল-
- ডায়োডের সম্মুখী ঝোঁক বলতে কী বুঝ?
- সম্মুখ ঝোঁক কাকে বলে?
- নিচের কোন গেইটটি AND এবং NOT গেইটের সমন্বয়ে তৈরি?
- একটি অ্যামপ্লিফায়ার কোন ধরনের তড়িৎ প্রবাহ থেকে কোন ধরনের তড়িৎ প্রবাহে পরিবর্তন করে?
- লিকেজ প্রবাহ কাকে বলে?
- একটি p-টাইপ অর্ধপরিবাহীয় চার্জ-
- একটি n-p-n ট্রানজিস্টর এর সংগ্রাহক প্রবাহ 99mA । যদি নিঃসৃত ইলেকট্রনগুলোর 99% সংগ্রাহকে পৌঁছায়, তাহলে নিঃসারক প্রবাহ, ভূমি প্রবাহ এবং বিবর্ধন গুণাঙ্ক (β) নির্ণয় কর।
- একটি অর্ধপরিবাহী পদার্থকে N type-এ রূপান্তরিত করতে পর্যায় সারণির কোন গ্রুপের পদার্থের প্???য়োজন?
- Capacitance of a spherical conductor of the vacuum is-
- সিলিকনের বিভব প্রাচীর-
- বর্তনীতে ব্যবহৃত প্রতিটি ডায়োড অভিন্ন। এদের যে কোনোটির দুইপ্রান্তে 0.6 volt বিভব পার্থক্য সৃষ্টি করায় প্রবাহ 100 mA হতে 150 mA এ পরিবর্তিত হয়। আবার ব্রীজটির সাহায্যে AC Signal কে DC Signal এ রূপান্তর করতে গিয়ে দেখা গেল D4 ডায়োডটি নষ্ট।প্রতিটি ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় কর।
- Reverse Bias-এ বিভব প্রাচীরের উচ্চতা বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- নিচের উদ্দীপক লক্ষ্য করো এবং প্রশ্নগুলির উত্তর দাও :A ও B যথাক্রমে ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল এদের দ্বারা সিলিকনকে ডোপিং করা যায়।A মৌলটিকে সিলিকনের সাথে ডোপিং করা হলে সিলিকনের বৈশিষ্ট্যের কিরূপ পরিবর্তন ঘটে চিত্রসহ বর্ণনা কর।
- একটি ট্রানজিস্টরের α =0.96, Ic=10mA হলে IB কত হবে?
- P টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরিতে নিচের কোন মৌলটি ডোপিং করা হয়?
- ডোপিং কী?
- নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- রেক্টিফায়ার হিসাবে ডায়োড কোন ধরনের রূপান্তর করে?
- ডোপিং কী?
- ডায়োড বিমুখী বায়োস(Reverse biased) হলে নিঃশেষিত স্তর-
- ডোপিং বলতে কী বুঝ?
- একটি ডায়োড রিভাসর্ বায়াসে যুক্ত হলে ↑চিহ্ন দ্বারা বৃদ্ধি এবং ↓চিহ্ন দ্বারা হ্রাস নিদেির্শত হলে নিচের কোনটি সঠিক?
- প্রত্যাবর্তী প্রক্রিয়ার ক্ষেত্রে _
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- জাংশন ডায়োডে ভোল্টমিটারকে কোন সমবায়ে সংযোগ দেওয়া হয়?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রিশন স্তর সৃষ্টির কারণ হল-
- চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কি?
- রেকটিফায়ার কাকে বলে?
- p-n জাংশনে 0.3V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য 6mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া যায়। জাংশনের গতীয় রোধ কত হবে?
- Si হতে n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- একটি P- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করতে সিলিকনের সাথে যেটি যোগ (ডোপিং) করতে হবে।
- জেনার বিভব কাকে বলে?
- একটি N টাইপ অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য হলো _
- D₁, D2এবং D3 একই প্রকৃতির তিনটি ডায়োড। এদের প্রতিটির গতীয় রোধ 150 Ω ।বর্তনীতে D3 ডায়োডটিকে M ও N এর মাঝে কীভাবে স্থাপন করা হলে ভোল্টমিটারটি ক্রমান্বয়ে সর্বম্মিন ও সর্বোচ্চ পাঠ দিবে? বর্তনী চিত্র অঙ্কনপূর্বক বিশ্লেষণ কর।
- নিচের উদ্দীপক লক্ষ্য করো এবং প্রশ্নগুলির উত্তর দাও :A ও B যথাক্রমে ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল এদের দ্বারা সিলিকনকে ডোপিং করা যায়।যদি সিলিকন খন্ডের কিছু অংশ A মৌল এবং একই সাথে বাকী অংশে B মৌল ডোপিং করা হয় তবে প্রাপ্ত যন্ত্রাংশ কী কাজে ব্যবহার করা যেতে পারে? তা প্রয়োজনীয় চিত্রের সাহ???য্যে বর্ণনা কর।