In the depletion layer of a biased p-n junction there remains-
A. Only electrons
B. Both electrons and holes
C. Only ions
D. Only holes
MAPপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)MAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
Only ions
Explanation: [Ishaque Sir: Edition-2023, Page-788]
Related Questions (Any University/Year)
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে Depletion Layer-
- বিনা বায়াসে P-N জাংশন ডায়োডে দু'প্রান্তের বিভব পার্থক্য মাপা যাবে কি না ব্যাখ্যা করো।
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরীর জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- p-n জাংশন বিমুখী ঝোঁক থাকাকালীন ভোল্টেজ ক্রমশ বাড়াতে থাকতে একটি বিশেষ ভোল্টেজে প্রবাহ মাত্রা হঠাৎ খুব বেড়ে যায়। এই ভোল্টেজকে বলা হয় _
- কোনো p-n জাংশনে সম্মুখ ঝোঁকে II ও V এর সম্পর্ক V=ln(I2); যখন প্রবাহ 2Amp, তখন গতীয় রোধ কত?
- কোনো p-n জাংশনে 1V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ পাওয়া গেল 10mA, বিভব পার্থক্য 1.2V করা হলে প্রবাহ পাওয়া যায় 15mA, গতীয় রোধ কত?
- PN জাংশন ডায়োড ব্যবহার করা যায়- বিবর্ধক হিসেবেএকমুখীকারক হিসেবেভল্টেজ স্থায়ীকারক হিসেবেনিচের কোনটি সঠিক?
- একটি p-n জাংশনের গতীয় রোধ 40 Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- Which element is used in doping of p-type semiconductor?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল ডোপিং করে যথাক্রমে X ও Y এক্সট্রিন্সিক (বহির্জাত) অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়।Y - X - Y বিন্যাসে যুক্ত করে যে ডিভাইস তৈরি হয় তা দিয়ে নিম্নের কোন কার্যক্রমটি সক্ষম হয় ?
- একটি N টাইপ অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য হলো _
- "টাংস্টেন রোধের উষ্ণতা সহগ 4.25 × 10-3 °C" বলতে কী বুঝ?
- p-n জাংশনে 0.2V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য 5mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া যায়। জাংশনের গতীয় রোধ কত?
- ডিজিটাল ভোল্টেজ সংকেত কী?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োডের কাজ কি?
- রেকটিফায়ার হিসাবে কাজ করে কোনটি?
- PN-জাংশানে I - V লেখচিত্র মূল বিন্দুগামী সরলরেখা হয় কি? ব্যাখ্যা কর।
- Capacitance of a spherical conductor of the vacuum is-
- pn জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- নিচের কোনটি তড়িৎ অর্ধপরিবাহীর (semiconductor) উদাহরণ?
- Ge হতে p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- বিভব প্রাচীর অতিক্রমের জন্য নূন্যতম যে ভোল্টেজ প্রয়োজন তাকে বলে-
- রেকটিফায়ার কী?
- নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- বিপরীত ঝোঁকে যখন PN জাংশনে তড়িৎ প্রবাহ হঠাৎ করে অস্বাভাবিক হারে বৃদ্ধি পায়, তখন এই ঘটনাকে বলা হয় _
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে হোল কিভাবে পরিবাহিতা সৃষ্টি করে?— ব্যাখ্যা কর।
- বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লেশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে কারেন্টের সমীকরণ I_D = 10^-12 e^(v)/(2.5×10^-2) A যেখানে V হল ডায়োডের দু'প্রান্তের বিভব পার্থক্য। চিত্রে P বিন্দুতে ডায়োডের গতীয় রোধ কত?
- রেক্টিফায়ার হিসেবে ডায়োড কী করতে পারে?
- URL এর পূর্ণরূপ-
- কোনো p-n জাংশনে 0.5V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 40mA ও 0.35V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 35mA পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- রেকটিফায়ার এর সুবিধা _ ট্রান্সফর্মারের কেন্দ্রে সংযোগ দিতে হয় না কেন্দ্রযুক্ত রেক্টিফায়ার এর তুলনায় আউটফুট চার গুণ হবে উচ্চ বিভব লাভে এটি দেশি উপযোগী নিচের কোনটি সঠিক?
- n-type অর্ধপরিবাহীর সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হলো-
- ডোপিং কী ?
- Reverse Bias-এ বিভব প্রাচীরের উচ্চতা বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- P-টাইপ অর্ধ-পরিবাহীর চার্জ নিরপেক্ষতা ব্যাখ্যা কর।
- যে সকল ইলেকট্রনিক বর্তনী এক বা একাধিক ইনপুট গ্রহণ করে বুলিয়ান বীজগণিত অনুযায়ী প্রক্রিয়াজাত করে একটিমাত্র আউটপুট প্রদান করে তাকে কী বলে?
- ডোপিং তড়িৎ পরিবাহিতার জন্য সহায়ক- ব্যাখ্যা করো।
