কোনো p-n জাংশনে সম্মুখ ঝোঁকে II ও V এর সম্পর্ক V=ln(I2); যখন প্রবাহ 2Amp, তখন গতীয় রোধ কত?
A. 3Ω
B. ln 2Ω
C. 2Ω
D. 1Ω
VAPপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)VAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
2Ω
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- নিচের কোনটি p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ডোপেন্ট না?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয়?
- একটি p-n জাংশনের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে-
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.5.6 k Ω রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- একটি ট্রানজিস্টরের কয়টি p-n জাংশন রয়েছে?
- একটি p - type সিলিকনের ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?
- নিচের কোন ডায়োডটি রিভার্স বায়াসে?
- -273° এর নিচে তাপমাত্রা থাকতে পারে না কেন? ব্যাখ্যা কর।
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল ডোপিং করে যথাক্রমে X ও Y এক্সটিপিক (বহির্জাত) অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়।ডোপায়নকৃত অর্ধপরিবাহীর-ধনাত্মক চার্জে চার্জিত হয় Y-এর সংখ্যালঘু বাহক হোল Y-এর সংখ্যা গুরুবাহক ইলেকট্রন নিচের কোনটি সঠিক?
- কোন গেইটের ইনপুট ও আউটপুট লাইন সমান থাকে
- Ge জংশন ডায়োডের প্রারম্ভের বিভব হলো V-
- উদ্দীপকে একটি ডায়োডের 1- V লেখচিত্র দেখানো হলো। ডায়োডের গতীয় রোধ কত ?
- চিত্রে প্রতিটি ডায়োডের সম্মুখ ঝোঁকে রোধ 20 Ω এবং বিপরীত ঝোঁকে রোধ অসীম। I1 এর মান নির্ণয় কর।
- নিচের কোন গেইটটি AND এবং NOT গেইটের সমন্বয়ে তৈরি?
- কোনো p-n জাংশনে 0.5 V বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করে বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেল 20 mA এবং বিভব পার্থক্য 1V প্রয়োগ করে বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেল 35 mA। জাংশনের গতীয় রোধ কত?
- বর্তনীদ্বয়ের মূল প্রবাহ এবং প্রত্যেকটি রোধের মধ্যে দিয়ে প্রবাহিত বিদ্যুতের মান কত? (ডায়োডসমূহ আদর্শ)
- একটি রেক্টিফায়ার রূপান্তর করে-
- নিচের কোনটি দ্বারা ডোপিং করলে p-type অর্ধপরিবাহী পাওয়া যাবে না?
- p-ধরন অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- What is present in the fuse wire?
- চিত্র C একটি সিলিন্ডার, যার A অংশটি ফাঁপা এবং B অংশটি পরিবাহী দ্বারা তৈরি। ফাঁপা অংশের ব্যাসার্ধ R1 ও নিরেট কন্ডাক্টর অংশের ব্যাসার্ধ R2। ২.৫(a) R1 দূরত্বে E=? (০১) (b) R1 ও R2 এর মধ্যের অংশে E=? (১.৫)
- একটি p-n জংশনের বিভবান্তর 2.0-volt থেকে বাড়িয়ে 2.2- volt করা হল। এতে এর তড়িৎ প্রবাহ 400mA থেকে বেড়ে 800mA হল। গতির রোধ কত?
- কোনটিতে সৌরকোষ ব্যবহৃত হয় না?
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I=?
- নিচের কোনটি তড়িৎ অর্ধপরিবাহীর (semiconductor) উদাহরণ?
- Si হতে n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- জেনার ভোল্টেজ কাকে বলে?
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এর ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- ডায়োডের I-V লেখচিত্র হলে -A বিন্দুতে প্রাপ্ত ভোল্টেজটি-
- কোন ট্রান্সজিস্টরের কমন বেস সার্কিটে এমিটার কারেন্ট 81.63 μA হতে 100 μA এ উন্নীত করায় কালেক্টর কারেন্ট 80 μA থেকে 98 μA এ উন্নীত করা হল। এ ক্ষেত্রে কারেন্ট লাভ কত?
- চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কি?
- একটি N টাইপ অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য হলো _
- P- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে যে মৌল ডোপিং করা হয় তা হলো -
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে কী বলে?
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তড়িৎ নিরপেক্ষ কিনা-ব্যাখ্যা করো।
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- রেকটিফায়ার হিসাবে কাজ করে কোনটি?
- ডায়োডের বিমুখী ঝোঁকের ক্ষেত্রে I vs V বৈশিষ্ট্যমূলক লেখচিত্র অঙ্কন করে ব্যাখ্যা করো।
- Ge হতে p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
