চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.
5.6 k Ω রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
A.
0.47 mA
B.
0.5mA
C.
1.96 mA
D.
2.14 mA
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
C.
1.96 mA
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- n -টাইপ অর্ধ পরিবাহীর জন্য আধান বাহক হিসেবে নিচের কোনটি সঠিক?
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- পর্যায় সারণির কোন মৌলটি ব্যবহার করে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী পাওয়া যায়?
- P টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে সিলিকনের সাথে নিচের কোনটি ডোপিং (doping) উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয় -
- কোনো p-n জাংশনে 0.5 V বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করে বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেল 20 mA এবং বিভব পার্থক্য 1V প্রয়োগ করে বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেল 35 mA। জাংশনের গতীয় রোধ কত?
- What one is to be added to silicon to make a p-type semiconductor?
- একটা ব্রিজ রেক্টিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতের কম্পাংক 50 Hz হলে এর আউটপুট সংকেতের কম্পাংক কত হবে?
- নিবৃত্তি বিভব কী?
- প্রত্যাবর্তী প্রক্রিয়ার ক্ষেত্রে _
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল ডোপিং করে যথাক্রমে X ও Y এক্সট্রিন্সিক (বহির্জাত) অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়।Y - X - Y বিন্যাসে যুক্ত করে যে ডিভাইস তৈরি হয় তা দিয়ে নিম্নের কোন কার্যক্রমটি সক্ষম হয় ?
- কোনটি n টাইপ অর্ধপরিবাহীর ডোপেন্ট?
- n-p-n ট্রানজিস্টরের p-n জংশনে তড়িৎ প্রবাহ 400mA থেকে 410 mA পর্যন্ত এবং বিভব পার্থক্য 2 V থেকে 2.55 V পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়। একে সাধারণ নিঃসারক জাংশনে 45 Ω লোড রোধের সাথে যুক্ত করলে প্রবাহ লাভ হয় 80। বর্তনীর ভোল্টেজ লাভ 100% হবে কী না? গাণিতিকভাবে দেখাও
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- কোনো p-n জাংশনে 1V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ পাওয়া গেল 10mA, বিভব পার্থক্য 1.2V করা হলে প্রবাহ পাওয়া যায় 15mA, গতীয় রোধ কত?
- P-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- What is the value of flow in reverse bias?
- \((110101101100)_2\) বাইনারি সংখ্যাটির সমতূল্য হেক্সাডেসিমাল সংখ্যা হবে-
- ঝোঁক প্রদানকারী একটি p-n জাংশনের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে-
- একটি ব্রীজ রেকটিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক 60 Hz হলে, এর আউটপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক কত?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-