P টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে সিলিকনের সাথে নিচের কোনটি ডোপিং (doping) উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয় -
এন্টিমনি
ইন্ডিয়াম
আর্সেনিক
ফসফরাস
এন্টিমনি
প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে সিলিকনের সাথে এন্টিমনি (Antimony) ডোপিং উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয়।
এডিপিং (Doping) হলো এমন প্রক্রিয়া যেখানে সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে অতিরিক্ত স্বল্পসংখ্যক দৃষ্টান্ত যোগ করা হয় যাতে তার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য পরিবর্তিত হয়।
বিশেষভাবে, সিলিকনের প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য নিচের উপাদানগুলো ব্যবহৃত হয়:
- অ্যাডামিনাম (Arsenic): সাধারণত n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়।
- এন্টিমনি (Antimony): এটি επίσης n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়, কারণ এটি সিলিকনের সাথে যুক্ত হয়ে অতিরিক্ত ইলেকট্রন যোগ করে।
অতএব, প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য সাধারণত এন্টিমনি ডোপিং উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয় না; এর পরিবর্তে, অ্যানিমনিক উপাদানগুলো যেমন বোরন প-টাইপ ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়। তবে, প্রশ্নে উল্লেখিত "এন্টিমনি" সাধারণত n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়।
সাধারণভাবে, প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত ডোপিং উপাদান হলো বোরন (Boron)।
সুতরাং, এই প্রশ্নের উত্তরে বলতে হবে: প্রশ্নে উল্লেখিত "এন্টিমনি" মূলত n-type ডোপিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হয়।
- বিমুখী বায়াস প্রদান করা হয় কোন জাংশনে?
- সেমিকন্ডাক্টরে পরিবাহিতার জন্য দায়ী কোনটি?
- Ge হতে p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য সিলিকন এর সাথে কোন অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয়?
- -273° এর নিচে তাপমাত্রা থাকতে পারে না কেন? ব্যাখ্যা কর।
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড তৈরি করার জন্য প্রয়োজন-
- চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কি?
- জাংশন ডায়োড কি কাজে ব্যবহৃত হয়?
- (a) আউটপুট ভোল্টেজের শীর্ষ মান কত?(b) D2 ও D4 ডায়োডকে খুলে নিলে আউটপুট ভোল্টেজ কেমন হবে তা চিত্র এঁকে ব্যাখ্যা কর ।
- ডোপান্ট কী?
- একটি অর্ধ পরিবাহী পদার্থকে N-type এ রুপান্তরিত করলে , পর্যায়সারনীর কোন গ্রুপের পদার্থের প্রয়োজন?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- নিঃশোষিত স্তর কাকে বলে
- একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতে কম্পাঙ্ক 50 Hz হলে আউটপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক ও পর্যায়কাল কত? রেক্টিফায়ার এর 0.2 V বিভব পার্থক্যের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- Ge-এর তৈরি একটি P ডায়োডকে সম্মুখী ঝোঁকে সংযুক্ত করায় নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল ।লেখচিত্র OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে বলে-
- p-n জাংশনের সম্মুখ বায়াসের বৈশিষ্ট্য লেখ কোনটি?
- ডায়োড সাধারণত কি কাজে ব্যবহৃত হয়?
- ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগের ফলে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান নিম্নের কোন মাত্রার হয়?
- p-nজাংশনে নিঃশেষিত অঞ্চলের বেধ কত?
- p-n জাংশনে ডিপলেশন স্তর তৈরির কারণ কী ?
- উদ্দীপকের p-n অংশের গতীয় রোধ নির্ণয় করো।
- কোন ক্ষেত্রে সংযোগ ডায়োডটি সম্মুখ বায়াসে যুক্ত?
- স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর পরিবাহী আধান কোনটি?
- জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- কোন ট্রানজিস্টরের \( I_c = 0.95 \, \text{mA} \) এবং \( I_B = 1.0 \, \text{mA} \) হলে, এর প্রবাহ বিবর্ধন গুণক কত?
- P-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরিতে বিশুদ্ধ জার্মেনিয়াম বা সিলিকনের সাথে কি মেশানো হয়?
- নিচের ইলেক্ট্রিক্যাল বর্তনীটি কোন গেট- এর মতো কাজ করবে?
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- ডায়োডের I-V লেখচিত্র হলে -CD অংশের গতীয় রোধ কত?
- p ধরন অর্ধপরিবাহীর(semiconductor) সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হলো-
- অ্যামপ্লিফায়ারের ভোল্টেজ গেইন পেতে হলে-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী কী?
- ধারকযুক্ত AC সার্কিটে প্রবাহ ও বিভবের দশা পার্থক্য কত?
- p-n জাংশনে 0.2 V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া গেলে এর রোধ কত?
- ঝোঁক প্রদানকারী একটি p-n জাংশনের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে-
- p-n জাংশন ডায়োডের ক্ষেত্রে "বিপরীত সম্পৃক্ত কারেন্ট"- ব্যাখ্যা করো।
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সাথে অপদ্রব্য হিসাবে যোগ করা হয়—
- বহির্জাত অর্ধপরিবাহী কাকে বলে?
- ডোপিং কি?