P টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে সিলিকনের সাথে নিচের কোনটি ডোপিং (doping) উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয় -
এন্টিমনি
ইন্ডিয়াম
আর্সেনিক
ফসফরাস
এন্টিমনি
প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে সিলিকনের সাথে এন্টিমনি (Antimony) ডোপিং উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয়।
এডিপিং (Doping) হলো এমন প্রক্রিয়া যেখানে সেমিকন্ডাক্টর উপাদানে অতিরিক্ত স্বল্পসংখ্যক দৃষ্টান্ত যোগ করা হয় যাতে তার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য পরিবর্তিত হয়।
বিশেষভাবে, সিলিকনের প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য নিচের উপাদানগুলো ব্যবহৃত হয়:
- অ্যাডামিনাম (Arsenic): সাধারণত n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়।
- এন্টিমনি (Antimony): এটি επίσης n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়, কারণ এটি সিলিকনের সাথে যুক্ত হয়ে অতিরিক্ত ইলেকট্রন যোগ করে।
অতএব, প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরির জন্য সাধারণত এন্টিমনি ডোপিং উপাদান হিসেবে ব্যবহৃত হয় না; এর পরিবর্তে, অ্যানিমনিক উপাদানগুলো যেমন বোরন প-টাইপ ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়। তবে, প্রশ্নে উল্লেখিত "এন্টিমনি" সাধারণত n-type ডোপিং এর জন্য ব্যবহৃত হয়।
সাধারণভাবে, প টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত ডোপিং উপাদান হলো বোরন (Boron)।
সুতরাং, এই প্রশ্নের উত্তরে বলতে হবে: প্রশ্নে উল্লেখিত "এন্টিমনি" মূলত n-type ডোপিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হয়।
- p-n জাংশনে 0.2V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য 5mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া যায়। জাংশনের গতীয় রোধ কত?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কী ডোপায়িত করা হয়?
- In the depletion layer of a biased p-n junction there remains-
- অর্ধপরিবাহক ডায়োডকে সমমুখী বায়াস করলে নিঃশোষিত স্তর-
- লোহার সাথে 4% সিলিকন মিশ্রণকে কি বলে?
- নিচের কোন বাক্যটি সঠিক?
- অর্ধতরঙ্গ রেকটিফায়ার বর্তনীতে আউটপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক, ইনপুট সংকেতের কম্পাঙ্কের কতগুণ হয়?
- বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লেশন স্থরের জন্য কোনটি সঠিক?
- চিত্রে ডায়োটির A-প্রান্তটি হবে-
- রেকটিফায়ারে সিগন্যালের কী রূপান্তর ঘটে?
- একটি অর্ধ পরিবাহী পদার্থকে N-type এ রুপান্তরিত করলে , পর্যায়সারনীর কোন গ্রুপের পদার্থের প্রয়োজন?
- কোন ডায়োডটি সম্মুখী ঝোঁকে আছে?
- p-ধরন অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- পূর্ণ তরঙ্গ একমুখী করণ বর্তনী তৈরি করা যায় _ ২ টি ডায়োড দিয়ে ৩ টি ডায়োড দিয়ে ৪ টি ডায়োড দিয়েনিচের কোনটা সঠিক?
- একটি অর্ধ পরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁকা স্থান কত ইলেক্ট্রন-ভোল্টের?
- ডিপ্লেশন স্তর কী?
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- রেকটিফায়ার কী?
- রেকটিফায়ার হতে বিশুদ্ধ DC পাবার জন্য কী করা উচিত?
- Forward bias এ PN জাংশনের ডিপ্লেশন স্তর-
- বিশুদ্ধ অর্ধ-পরিবাহীতে অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
- p - n জাংশনের I - V লেখচিত্র দেখানো হয়েছে।লেখচিত্রের OCD এবং OAB অংশের তুলনামূলক বিশ্লেষণ কর।
- ডোপান্ট কী?
- For a current I flowing through a conductor, the magnetic field induced at a point near the conductor is-
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের PQ অংশের বৈশিষ্ট্য দ্বারা কোন যান্ত্রিক সুবিধা অর্জন সম্ভব হয়েছে?
- P-type অর্ধপরিবাহী কী?
- p-n-p ট্রানজস্টরে IE=0.55A, IC=0.5A হলে, IB=?
- ডোপিং কি?
- What is the charge carrier of p-type semiconductor at normal temperature?
- P-টাইপ অর্ধ-পরিবাহীতে ঋণাত্মক আধান বাহক থাকার কারণ ব্যাখ্যা কর।
- What is diode used as generally?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- নিচের কোনটি দ্বারা ডোপিং করলে p-type অর্ধপরিবাহী পাওয়া যাবে না?
- দীর্ঘসময় তড়িৎ প্রবাহের ক্ষেত্রে CD অংশের তড়িৎ প্রবাহ MN অংশের চেয়ে বেশি নিরাপদ। ব্যাখ্যা করো।
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর-
- জেনার ডায়োড যখন বর্তনীতে ব্যবহার করা হয় , তখন সবসময় এর সংযোগ দেওয়া হয়-
- সেমিকন্ডাকটরের ক্ষেত্রে পরিবহন ব্যান্ড ও যোজ্যতা ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তির ব্যবধান কত?
- সম্মুখী ঝোঁক কাকে বলে?
- একটি p-টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল-
- What is the armature of AC dynamo made of?