সেমিকন্ডাকটরের ক্ষেত্রে পরিবহন ব্যান্ড ও যোজ্যতা ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তির ব্যবধান কত?
A. 15eV
B. 100eV
C. 50eV
D. 1eV
MBSTUUnit-Aপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)MBSTU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
D.
1eV
Another Explanation (5):
সেমিকন্ডাকটর ব্যাখ্যা
সেমিকন্ডাকটরের ক্ষেত্রে পরিবহন ব্যান্ড ও যোজ্যতা ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ব্যবধান
সাধারণত, সেমিকন্ডাকটরগুলির মধ্যে পরিবহন ব্যান্ড (Conduction Band) ও যোজ্যতা ব্যান্ড (Valence Band) এর মধ্যে শক্তির ব্যবধান (Band Gap) প্রায় 1 eV হয়।
এই শক্তির ব্যবধানটি সেমিকন্ডাকটরের ধরণ ও উপাদানের উপর নির্ভর করে, তবে সাধারণত:
- সাধারণ সেমিকন্ডাকটরগুলির জন্য এই মান প্রায় 1 eV এর কাছাকাছি হয়।
- উচ্চ-শক্তির বা অতি-সাধারণ সেমিকন্ডাকটরগুলির জন্য এটি কম বা বেশি হতে পারে।
শক্তির ব্যবধানটি বোঝায় যে, একটি ইলেকট্রন যোজ্যতা ব্যান্ড থেকে পরিবহন ব্যান্ডে যেতে হলে কমপক্ষে 1 eV শক্তির প্রয়োজন হয়।
এটি সেমিকন্ডাকটরটির বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য নির্ধারণে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যেমন এটি কতটা আলো শোষণ করবে বা কত দ্রুত বৈদ্যুতিক প্রবাহ পরিচালনা করবে।
Related Questions (Any University/Year)
- সেমিকন্ডাক্টররূপে নিচের কোন মৌলটি ব্যবহৃত হয়?
- বিপরীত ঝোঁকে ডায়োডে তড়িৎ প্রবাহ হয় না কেন? ব্যাখ্যা করো।
- . কোনটি মিথ্যা?ডায়োডের ক্ষেত্রে বিনাশী ভোল্টেজের পর তড়িৎ প্রবাহের মান সম্মুখ ঝোঁকে নী (Knee) ভোল্টেজের পর থেকে প্রাপ্ত তড়িৎ প্রবাহ থেকে বেশি নাট্রায়োডের দুটি টার্মিনাল থাকে+ve charge carrier এর জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ-ve charge carrier জন্য প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহ থেকে কম নানিচের কোনটি সঠিক?
- The impurities that are mixed to make a semiconductor p-type are-
- একটি অর্ধ পরিবাহী পদার্থকে N-type এ রুপান্তরিত করলে , পর্যায়সারনীর কোন গ্রুপের পদার্থের প্রয়োজন?
- বিমুখী ঝোঁক প্রদানে P-N জাংশনের বিভব প্রাচীর _
- অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে বলে-
- একটি অপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁক প্রায়-
- রেকটিফায়ার এর সুবিধা _ ট্রান্সফর্মারের কেন্দ্রে সংযোগ দিতে হয় না কেন্দ্রযুক্ত রেক্টিফায়ার এর তুলনায় আউটফুট চার গুণ হবে উচ্চ বিভব লাভে এটি দেশি উপযোগী নিচের কোনটি সঠিক?
- রেকটিফায়ারে সিগন্যালের কী রূপান্তর ঘটে?
- কোন জাংশনের বিভব পার্থক্য 1.1V থেকে বাড়িয়ে 1.3V করায় প্রবাহমাত্রা 25mA থেকে 42mA হয়ে গেল। গতীয়রোধ কত?
- একটি n-p-n অথবা p-n-p ট্রানজিস্টার গঠিত হতে কয়টি জাংশন দরকার ?
- নিচে একটি ডায়োডের V- I লেখচিত্র দেখানো হলঃউদ্দীপকের চিত্র থেকে ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় করো
- জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এর ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- নিচের চিত্রটি লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও :উদ্দিপকের ডায়োডটিকে রেকটিফায়ার হিসেবে ব্যবহার করা যাবে কিনা - প্রয়োজনীয় বর্তনী চিত্রের মাধ্যমে উপস্থাপন কর ।
- P-n জাংশন ডায়োডের V-I বৈশিষ্ট্য লেখচিত্রে সম্মুখ ঝোঁকে ওহমের সূত্র প্রযোজ্য কিনা— ব্যাখ্যা করো।
- Forward bias এর ক্ষেত্রে বিভব বাড়ালে কোনটি ঘটে?
- পরিবাহী ও ডায়োডের I-V লেখচিত্রের কোনো পার্থক্য আছে কি? ব্যাখ্যা কর।
- একটি p-n জাংশনে 1.1 volt বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করে তড়িৎ প্রবাহ 25mA এবং 1.3 volt বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করে তড়িৎ প্রবাহ 42mA পাওয়া গেলো। জাংশনটির গতিয় রোধ কত?
- ডায়োডের সম্মুখী ঝোঁক বলতে কী বুঝ?
- বর্তনীতে প্রবাহমাত্রা কত? [Si ডায়োড]
- Which element is used in doping of p-type semiconductor?
- ডোপায়ন তড়িৎ প্রবাহে কী ভূমিকা রাখে- ব্যাখ্যা করো।
- চিত্রে আদর্শ ডায়োডটির মধ্যে প্রবাহমাত্রা কত?
- উপরের চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V রোধের মধ্যে দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহমাত্রা কত?
- ডোপিং কাকে বলে?
- ট্রানজিস্টরের তাপমাত্রা বাড়লে-
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- ১নং চিত্রে প্রদত্ত ডায়োডের অনুরূপ ৪টি ডায়োডকেবর্তনীর ন্যায় যুক্ত করা হলো (চিত্র-২)। যে কোনো একটি ডায়োডের সম্মুখবর্তী ঝোঁকে 0.12 V বিভব পরিবর্তন 3 × 10-2A তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন ঘটে।D₁ এর গতীয় রোধ নির্ণয় কর।
- p-n জাংশনের সম্মুখ বায়াসের বৈশিষ্ট্য লেখ কোনটি?
- জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- কোন ট্রানজিস্টরের \( I_c = 0.95 \, \text{mA} \) এবং \( I_B = 1.0 \, \text{mA} \) হলে, এর প্রবাহ বিবর্ধন গুণক কত?
- P-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- What is the charge carrier of p-type semiconductor at normal temperature?
- নিম্নলিখিত বর্তনীর আউটপুট কোনটি?
- ব্রীজ রেকটিফায়ারে পরিবর্তী প্রবাহ (AC) কে একমুখী (DC) করার জন্য লোডের সাথে সমান্তরাল সমবায়ে যে ধারক ব্যবহৃত হয় সেটির কাজ-
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে Depletion Layer-
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- গবেষণাগারে একজন শিক্ষার্থী চারটি একই রকমের ডায়োড নিয়ে পরীক্ষা করছিল। সে দেখতে পেল যে প্রতিটি ডায়োডের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য 0.4Volt পরিবর্তন করা হলে তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন 100mA হয়। ডায়োডগুলো ব্যবহার করে সে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ার তৈরি করে পরীক্ষণ শুরু করল। কিছুক্ষণ পর সে বর্তনী থেকে একটি ডায়োড খুলে ফেলল। ডায়োডটি খুলে ফেলার পর আউটপুট সিগন্যালের পরিবর্তন কিরূপ হবে তা সচিত্র বর্ণনা কর।