ডোপায়নের মাধ্যমে বহিঃজাত অর্ধপরিবাহক তৈরিতে নিম্নের কোন মৌল ব্যবহৃত হয়?
A. নিকেল
B. প্লাটিনাম
C. টাংস্টেন
D. আর্সেনিক
CoUUnit-Aপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)CoU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
D.
আর্সেনিক
Another Explanation (5):
ডোপায়নের মাধ্যমে বহিঃজাত অর্ধপরিবাহক তৈরিতে আর্সেনিক ব্যবহৃত হয়।
অর্থাৎ, অর্ধপরিবাহক প্রস্তুতিতে ডোপিং প্রক্রিয়ায় আর্সেনিকের মতো মৌল ব্যবহৃত হয় কারণ:
- আর্সেনিক একটি প্রধান ডোপ্যান্ট (dopant) হিসেবে কাজ করে, যা মূলত সেলেনাইড বা সিলিকনের মধ্যে যোগ করা হয়।
- এটি অ্যানড-টাইপ অর্ধপরিবাহক (n-type semiconductor) উৎপাদনে সহায়ক, যেখানে এটি অতিরিক্ত ইলেকট্রন সরবরাহ করে।
- আর্সেনিকের উপস্থিতিতে সিলিকনের মধ্যে অতিরিক্ত ইলেকট্রন যোগ হয়, ফলে এর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়।
সুতরাং, ডোপিংয়ের জন্য আর্সেনিক ব্যবহৃত হয় কারণ এটি সিলিকনের বৈদ্যুতিক গুণাবলী পরিবর্তন করে, যা আধুনিক অর্ধপরিবাহক ডিভাইস তৈরিতে অপরিহার্য।
Related Questions (Any University/Year)
- পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ারে সর্বোচ্চ কতটি ডায়োড প্রয়োজন?
- একটি p - type সিলিকনের ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?
- কোনটি বাইপোলার ডিভাইস ?
- একটি অর্ধপরিবাহীকে n-টাইপ করার জন্য যে অপদ্রব্য মিশানো হয় তাহলো-
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় না নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- কোন একটি জাংশনে ব্যাপনের ফলে ইলেকট্রন এবং হোল প্রশমিত হলেতৈরি হয়-
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- সিলিকনের পরিবহন ব্যান্ড ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তি ব্যবধান কত?
- P-n জাংশন ডায়োডের V-I বৈশিষ্ট্য লেখচিত্রে সম্মুখ ঝোঁকে ওহমের সূত্র প্রযোজ্য কিনা— ব্যাখ্যা করো।
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহীতে গরিষ্ঠ বাহক (majority charge carrier) কোনটি ?
- P-N জাংশন এ ডিপ্লেশন স্তর কিভাবে সৃষ্টি হয়?
- নিচের কোনটি p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ডোপেন্ট না?
- নিচে একটি ডায়োডের V- I লেখচিত্র দেখানো হলঃঅনেকক্ষণ ধরে বিদ্যুৎ প্রবাহের জন্য BC অংশের প্রবাহের চেয়ে MN অংশের প্রবাহ বেশি নিরাপদ ব্যাখ্যা করো।
- বর্তনীতে যুক্ত সিলিকন ডায়োডের বিভব প্রাচীর 0.7V হলে বর্তনীর অ্যামিটার কত পাঠ দেখাবে?
- Input signal হলে, Vout কোনটি? [আদর্শ ডায়োড বিবেচনা কর]
- ডায়োডের নী-বিভব 0.5 V হলে, I এর মান কত?
- p-n জাংশনের সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- চিত্রে, প্রত্যেকটি ডায়োড Si ডায়োড। V2 এর মান নির্ণয় কর। [প্রত্যেকটি ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে রোধ শূন্য]
- N-type অর্ধ-পরিবাহী ঋণাত্মক চার্জে চার্জিত কি-না? ব্যাখ্যা কর।
- কোন p-n জাংশনে 0.7V বিভব পার্থক্য করে 12mA প্রবাহ পাওয়া যায় এবং বিভব পার্থক্য 0.3V বাড়ালে বিদ্যুৎ প্রবাহ 12mA বাড়ে।জাংশন রোধ কত?
- অর্ধপরিবাহক ডায়োডকে সমমুখী বায়াস করলে নিঃশোষিত স্তর-
- রেকটিফায়ার হতে বিশুদ্ধ DC পাবার জন্য কী করা উচিত?
- ডিপ্লেশন স্তর কী?
- নিচের কোনটি ডায়োডের সম্মুখ ঝোঁক নির্দেশ করে?
- স্বাভাবিক তাপমাত্রায় P-টাইপ অর্ধপরিবাহীর আধান পরিবাহী-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী কী?
- p-n জাংশন ডায়োডের ক্ষেত্রে "বিপরীত সম্পৃক্ত কারেন্ট"- ব্যাখ্যা করো।
- দীর্ঘসময় তড়িৎ প্রবাহের ক্ষেত্রে CD অংশের তড়িৎ প্রবাহ MN অংশের চেয়ে বেশি নিরাপদ। ব্যাখ্যা করো।
- Which element is used in doping of p-type semiconductor?
- কক্ষ তাপমাত্রায় সহজাত্য বা ইন্ট্রিনজিক অর্ধপরিবাহীতে বিদ্যুৎ পরিবহনের জন্য থাকবে-
- এক ইলেকট্রন ভােল্ট (1 eV) হলাে-
- রেকটিফায়ার কাকে বলে?
- বিশুদ্ধ অর্ধ-পরিবাহীতে অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে কী বলে?
- অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান হল প্রায়-
- জার্মেনিয়ামের সাথে নিচের কোন মৌলটি যুক্ত করলে n-type অর্ধপরিবাহী তৈরি হবে?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- ঝোঁক প্রদানকারী একটি p-n জংশনের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে -
- একটি জার্মেনিয়াম কেলাসকে P টাইপ অর্ধপরিবাহীতে রূপান্তরিত করতে প্রয়োজন-
- 0 থেকে 9 সংখ্যা আলোকিত করার জন্য সর্বমোট কয়টি LED এর প্রয়োজন?