অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান হল প্রায়-
A. 2.5eV
B. 3 eV
C. 1 eV
D. 7 eV
MBSTUUnit-Aপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)MBSTU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
1 eV
Another Explanation (5):
অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান
প্রশ্ন: অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান হল প্রায়-
উত্তর: 1 eV
ব্যাখ্যা:
অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান বা ব্যান্ড গ্যাপ হল সেই শক্তির পরিমাণ যা প্রয়োজন একটিমাত্র অর্ধপরিবাহী মৌল বা যৌগের মধ্যে থেকে এক টি ইলেকট্রন উত্তেজিত (অর্থাৎ, কন্ডাকশন ব্যান্ড থেকে ভ্যালেন্স ব্যান্ডে স্থানান্তরিত) করতে। সাধারণত, এই শক্তির মান প্রায় 1 ইলেকট্রন ভোল্ট (1 eV) এর কাছাকাছি হয়। এটি অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ করে এবং বিভিন্ন অর্ধপরিবাহীর মধ্যে এই মান পরিবর্তিত হতে পারে, তবে প্রায়ই 1 eV এর কাছাকাছি ধরা হয়।
Related Questions (Any University/Year)
- চিত্রের ডায়োডগুলো আদর্শ ডায়োড।Vin ইনপুট সিগন্যাল হলে, আউটপুট কোনটি?
- ডায়নামোতে পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে পরিণত করা হয় কোন যন্ত্রাংশ দ্বারা?
- রেক্টিফায়ার হিসাবে ডায়োড কোন ধরনের রূপান্তর করে?
- p-n জাংশন ডায়োডের ডিপ্লেশন লেয়ার চার্জ নিরপেক্ষ-ব্যাখ্যা কর।
- সাধারণ নিঃসারক বর্তনীতে অন্তঃগামী ও বহির্গামী সিগনালের দশা পার্থক্য
- নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসাবে ব্যবহার করলে ρ - টাইপ অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?
- P-N জাংশন এ ডিপ্লেশন স্তর কিভাবে সৃষ্টি হয়?
- In the depletion layer of a biased p-n junction there remains-
- একটি ডায়োড রিভার্স বায়সে যুক্ত হলে ↑ চিহ্ন দ্বারা বৃদ্ধি এবং ↓ চিহ্ন দ্বারা হ্রাস নির্দেশিত হলে নিচের কোনটি সঠিক?
- P টাইপ অর্ধ পরিবাহীর আধান বাহক হোল- ব্যাখ্যা করো ।
- p-n জাংশনে ডিপলেশন স্তর তৈরির কারণ কী ?
- নিম্নের কোন ডিভাইসটি পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তর করে ?
- চিত্রে A চিহ্নিত পিনটির নম্বর কত?
- বিপরীত ঝোঁকে ডায়োডে তড়িৎ প্রবাহ হয় না কেন? ব্যাখ্যা করো।
- বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে সামান্য পরিমাণ পঞ্চযোজী ডোপায়িত করলে এটি পরিণত হয়-
- P টাইপ অর্ধ পরিবাহিতে অপদ্রব্য হিসেবে থাকে
- উদ্দীপকের p-n অংশের গতীয় রোধ নির্ণয় করো।
- Capacitance of a spherical conductor of the vacuum is-
- একটি p-n জংশনের বিভবান্তর 2.0-volt থেকে বাড়িয়ে 2.2- volt করা হল। এতে এর তড়িৎ প্রবাহ 400mA থেকে বেড়ে 800mA হল। গতির রোধ কত?
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- নিরাপত্তা ফিউজ তারের গলনাঙ্ক-
- পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ারে সর্বোচ্চ কতটি ডায়োড প্রয়োজন?
- বিভব প্রাচীর অতিক্রমের জন্য নূন্যতম যে ভোল্টেজ প্রয়োজন তাকে বলে-
- Si এর সাথে কোন অপদ্রব্যটি যোগ করলে n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরী হবে?
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহীতে গরিষ্ঠ বাহক (majority charge carrier) কোনটি ?
- কোন p-n জাংশনে 1V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ পাওয়া গেল 10mA, বিভব পার্থক্য 1.2V করা হলে প্রবাহ পাওয়া যায় 15mA, গতীয় রোধ কত?
- N-type অর্ধ-পরিবাহী ঋণাত্মক চার্জে চার্জিত কি-না? ব্যাখ্যা কর।
- নিম্নলিখিত বর্তনীর আউটপুট কোনটি?
- বিশুদ্ধ অর্ধ পরিবাহীতে কোন অপদ্রব্য মেশালে n টাইপ অর্ধ পরিবাহী তৈরি হয়?
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড ওহমের সূত্র মেনে চলে কি-না-ব্যাখ্যা কর ।
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- একটি অপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁক প্রায়-
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে কী বলে?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কী ডোপায়িত করা হয়?
- ডোপিং কী?
- জার্মেনিয়ামের সাথে ন???চের কোনটি যুক্ত থাকলে n টাইপ অর্ধধপরিবাহী হয়?
- The impurities that are mixed to make a semiconductor p-type are-
- সাধারণত রেকটিফায়ার ডায়োডে ভোল্টেজের মান কত এর নিচে রাখা হয়?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- Input signal হলে, Vout কোনটি? [আদর্শ ডায়োড বিবেচনা কর]