p-n জাংশনে ডিপলেশন স্তর তৈরির কারণ কী ?
A.
অপদ্রব্য আয়ন
B.
আধান বাহকের ব্যাপন
C.
হোলের তাড়ন বেগ
D.
ইলেকট্রনের তাড়ন বেগ
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
B.
আধান বাহকের ব্যাপন
Another Explanation (5):
প-ন জাংশনে ডিপলেশন স্তর বা ডিপলেশন ফ্লাক্সের সৃষ্টি হওয়ার মূল কারণ হলো আধান বাহকের ব্যাপন। এর ব্যাখ্যা নিম্নরূপ:
- আধান বাহকের ব্যাপন: প-ন জাংশনে অবস্থিত ভেক্টর আধান বা ডিপলেশন অ্যারে তার নিজস্ব বৈদ্যুতিক চার্জের কারণে পরিবেশের সাথে মিথস্ক্রিয়া করে। এই আধান বাহকের ব্যাপন বা বিস্তার মূলত ঘটে যখন প-প্রান্তে অবস্থিত ধনাত্মক চার্জ ধীরে ধীরে ছড়িয়ে পড়ে বা পরিবর্তিত হয়।
- বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের সৃষ্টি: এই আধানের পরিবর্তিত অবস্থা একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র সৃষ্টি করে, যা ডিপলেশন স্তর বা ডিপলেশন ফ্লাক্সের গঠনকে উৎসাহিত করে।
- বৈদ্যুতিক সমতা প্রতিষ্ঠা: এই স্তর সৃষ্টি হয় যাতে প-ন জাংশনের ভেতরে বৈদ্যুতিক সমতা বা স্থিতিশীলতা বজায় থাকে। এটি মূলত চার্জের অভ্যন্তরীণ বৈচিত্র্য বা বিভাজনের ফলাফল।
সংক্ষেপে, আধান বাহকের ব্যাপন বা চার্জের বিস্তার প-ন জাংশনে ডিপলেশন স্তর তৈরির কারণ, যা বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের গঠনে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে এবং এই স্তর বৈদ্যুতিক পরিবহণ বা ডায়োডের কার্যকলাপকে নিয়ন্ত্রণ করে।
Related Questions (Any University/Year)
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- ডোপিং কাকে বলে?
- p-n জাংশন সম্মুখ বেঁকে থাকলে এর রোধ কেমন হবে?
- ডায়োডের P-N জংশন??? বহিস্থ ভোল্টেজ প্রয়োগ করা না হলে উহার নিঃশোষিত অঞ্চলে থাকে _
- অর্ধ পরিবাহী ডায়োডকে বলে -
- চিত্রের মতো ইনপুট হলে ব্রিজ রেকটিফিকেশনে আউটপুট হবে-
- একটি p -টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরী করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল —
- Emitter current এর 10mA এর পরিবর্তনের কারণে collector current এর 7.2mA পরিবর্তন হয়। এজন্য base current এর কতটুকু পরিবর্তনহবে?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরীর জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- চিত্রের যন্ত্রটি হলো-1টি p-n-p ট্রানজিস্টরদুর্বল সংকেতের বিবর্ধকসুইচ হিসেবে ব্যবহূত হয়নিচের কোনটি সঠিক?
- সাধারণ নিঃসারক বর্তনীতে অন্তঃগামী ও বহির্গামী সিগনালের দশা পার্থক্য
- জেনার ভোল্টেজ কী?
- p-n জাংশনে 0.2 V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া গেলে এর রোধ কত?
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- p-n জাংশনের সম্মুখ বায়াসের বৈশিষ্ট্য লেখ কোনটি?
- আদর্শ p-n জাংশন রিভার্স বায়াসে থাকলে-
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- The resistance of a conductor is not dependent on which of the following?
- What is used for doping to make n-type semiconductor?
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে কারেন্টের সমীকরণ I_D = 10^-12 e^(v)/(2.5×10^-2) A যেখানে V হল ডায়োডের দু'প্রান্তের বিভব পার্থক্য। চিত্রে P বিন্দুতে ডায়োডের গতীয় রোধ কত?
- সাধারণত রেকটিফায়ার ডায়োডে ভোল্টেজের মান কত এর নিচে রাখা হয়?
- (a) আউটপুট ভোল্টেজের শীর্ষ মান কত?(b) D2 ও D4 ডায়োডকে খুলে নিলে আউটপুট ভোল্টেজ কেমন হবে তা চিত্র এঁকে ব্যাখ্যা কর ।
- স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর তড়িৎ পরিবহনের majority carrier কোনটি?
- জেনার ডায়োড কি ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- দ্বিমুখী ঝোঁকে ডিপলেশন স্তরের প্রস্থ বৃদ্ধি পায় কেন?
- রেকটিফায়ার হিসাবে কাজ করে কোনটি?
- একটি রেক্টিফায়ার রূপান্তর করে-
- অর্ধতরঙ্গ একমুখীকরণ প্রক্রিয়ায় কেন আউটপুটে পূর্ন তরঙ্গ পাওয়া যায় না- ব্যাখ্যা কর ।
- p-n জাংশনে কারেন্ট এর ব্যাপন হবে-
- বিপরীত ঝোঁকে ডায়োডে তড়িৎ প্রবাহ হয় না কেন? ব্যাখ্যা করো।
- প্রত্যাবর্তী প্রক্রিয়ার ক্ষেত্রে _
- নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতে কম্পাঙ্ক 50 Hz হলে আউটপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক ও পর্যায়কাল কত? রেক্টিফায়ার এর 0.2 V বিভব পার্থক্যের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহ পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- রেকটিফায়ারে কীভাবে AC সিগনালকে DC সিগনালে পরিণত করে লেখচিত্রের সাহায্যে দেখাও কীভাবে smooth করা যায় ব্যাখ্যা করো।
- কোনটি সক্রিয় ডিভাইস ?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- বিপরীত ঝোঁকে যখন PN জাংশনে তড়িৎ প্রবাহ হঠাৎ করে অস্বাভাবিক হারে বৃদ্ধি পায়, তখন এই ঘটনাকে বলা হয় _
- দ্বি- পোলার NPN জাংশন ট্রানজিস্টর কাজ করার জন্য নিঃসারকের সাপেক্ষে বিভিন্ন তড়িৎদ্বারের পোলারিটি –
- কোনো p-n জাংশনে 0.5V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 40mA ও 0.35V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 35mA পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- Si এর সাথে কোন অপদ্রব্যটি যোগ করলে n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরী হবে?