Emitter current এর 10mA এর পরিবর্তনের কারণে collector current এর 7.2mA পরিবর্তন হয়। এজন্য base current এর কতটুকু পরিবর্তন
হবে?
A. 1.2mA
B. 3.4mA
C. 2.8mA
D. 2.77 mA
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
2.8mA
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- রেকটিফায়ার এর সুবিধা _ ট্রান্সফর্মারের কেন্দ্রে সংযোগ দিতে হয় না কেন্দ্রযুক্ত রেক্টিফায়ার এর তুলনায় আউটফুট চার গুণ হবে উচ্চ বিভব লাভে এটি দেশি উপযোগী নিচের কোনটি সঠিক?
- n-type অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য যে পরমাণু দ্বারা ডোপিং করা হয় তারা-
- ডিজিটাল ভোল্টেজ সংকেত কী?
- সম্মুখ ঝোঁক কাকে বলে?
- বর্তনীতে ব্যবহৃত প্রতিটি ডায়োড অভিন্ন। এদের যে কোনোটির দুইপ্রান্তে 0.6 volt বিভব পার্থক্য সৃষ্টি করায় প্রবাহ 100 mA হতে 150 mA এ পরিবর্তিত হয়। আবার ব্রীজটির সাহায্যে AC Signal কে DC Signal এ রূপান্তর করতে গিয়ে দেখা গেল D4 ডায়োডটি নষ্ট।প্রতিটি ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় কর।বর্তনীতে D4 সংযুক্ত অবস্থায় AC কে DC তে রূপান্তর সম্ভব কীনা? সচিত্র ব্যাখ্যা দাও।
- ডায়োডের বিমুখী ঝোঁকের ক্ষেত্রে I vs V বৈশিষ্ট্যমূলক লেখচিত্র অঙ্কন করে ব্যাখ্যা করো।
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- সেমিকন্ডাকটর ডায়োড কি কাজে ব্যবহৃত হয় ?
- ডায়োডের নী-বিভব 0.5 V হলে, I এর মান কত?
- নিচের চিত্রটি লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও :উদ্দিপকের ডায়োডটিকে রেকটিফায়ার হিসেবে ব্যবহার করা যাবে কিনা - প্রয়োজনীয় বর্তনী চিত্রের মাধ্যমে উপস্থাপন কর ।
- p-n জাংশনে ডিপলেশন স্তর তৈরির কারণ কী ?
- For a current I flowing through a conductor, the magnetic field induced at a point near the conductor is-
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- রেক্টিফায়ার হিসেবে ডায়োড কী করতে পারে?
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I =?
- n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ডোপায়ন হিসেবে নিচের কোনটি ব্যবহার করা হয়?
- n শ্রেণির অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক ইলেকট্রন কেন থাকে?
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- ডিপ্লেশন স্তর কী?
- In which case the valency band remains filled?
- p টাইপ অর্ধপরিবাহীর জন্য বিশুদ্ধ জার্মেনিয়াম এর সাথে অপদ্রব্য হিসেবে যোগ করা হয় __
- n-টাইপ অর্ধ-পরিবাহী তড়িৎ নিরপেক্ষ কিনা-ব্যাখ্যা কর।
- 0 থেকে 9 সংখ্যা আলোকিত করার জন্য সর্বমোট কয়টি LED এর প্রয়োজন?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- তড়িৎ প্রবাহকে একমুখীকরণে ব্যবহৃত হয় ?
- কোনো p-n জাংশনে 0.2V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া গেল। জাংশনের রোধ কত হবে?
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য যে পরমানুর দ্বারা ডোপায়ন করা হয় তারা -
- এক ইলেকট্রন ভােল্ট (1 eV) হলাে-
- "Knee Voltage" এর মান 0.7V বলতে কী বুঝ?
- কক্ষ তাপমাত্রায় সহজাত্য বা ইন্ট্রিনজিক অর্ধপরিবাহীতে বিদ্যুৎ পরিবহনের জন্য থাকবে-
- জেনার ডায়োড কী ধরনের ঝোঁকে কাজ করে?
- নিচের কোন ডিভাইস AC কে DC-তে রূপান্তরিত করে?
- বর্তনীতে যুক্ত সিলিকন ডায়োডের বিভব প্রাচীর 0.7V হলে বর্তনীর অ্যামিটার কত পাঠ দেখাবে?
- ডোপিং কী?
- P- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে যে মৌল ডোপিং করা হয় তা হল—
- ডোপান্ট কী?
- চিত্রে প্রতিটি ডায়োডের সম্মুখ ঝোঁকে রোধ 20 Ω এবং বিপরীত ঝোঁকে রোধ অসীম। I1 এর মান নির্ণয় কর।
- চিত্রে প্রদর্শিত আদর্শ p-n ডায়োডের মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহ কত?
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে Depletion Layer-
- What one is to be added to silicon to make a p-type semiconductor?
