(১০ক)প্রশ্ন-১৯p-n জাংশনে সমসংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ---
A. হোলের তাড়ন
B. আধান বাহকের ব্যাপন
C. ইলেকট্রনের তাড়ন
D. অপদ্রব আয়নের স্থানান্তর
Onushiloni MCQ HSCপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সTapan (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
আধান বাহকের ব্যাপন
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৬নিচের কোনটি মৌলিক গেট নয়?
- (১০ক)প্রশ্ন-১নিচের কোনটি শক্তিব্যান্ড?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১২একটি সমন্বিত বর্তনীতে নিম্নের কোন উপাংশটি অনুপস্থিত?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৬p-n জাংশন অন্তরক হিসেবে কাজ করে যখন তা সংযুক্ত করা হয়----
- (১০ক)প্রশ্ন-৪১একটি ডায়োড রিভার্স বায়াসে যুক্ত হলে ↑ চিহ্ন দ্বারা বৃদ্ধি এবং ↓ চিহ্ন দ্বারা হ্রাস নির্দেশিত হলে নিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৩স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর আধান কোনটি?
- (১০খ)প্রশ্ন-৫ট্রানজিস্টরের নিঃসারক প্রবাহ -
- (১০গ)প্রশ্ন-৬
- (১০ক)প্রশ্ন-৩২n টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত সিলিকন গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়ামনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০খ)প্রশ্ন-১৩ট্রানজিস্টর তৈরি করা হয় -.দুটি p টাইপের মাঝে একটি n টাইপ স্যান্ডউইচ করেদুটি n টাইপের মাঝে একটি p টাইপ স্যান্ডউইচ করেতিনটি n টাইপ পাশাপাশি রেখেনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৯তাপমাত্রা বাড়ার সাথে কোনটির বিদ্যুৎ পরিবাহিতা বাড়ে?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪০ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- (১০গ)প্রশ্ন-১২বাইনারি নম্বর (10111)2 এর ডেসিমেল নম্বর কোনটি?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৩p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কি ডোপায়িত করা হয়?
- (১০ক)প্রশ্ন-২৫ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর (depletion Layer)-
- (১০ক)প্রশ্ন-৪৪উদ্দীপকে ব্যবহৃত রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৮নিচের চিত্রটি কসের প্রতীক নির্দেশ করে?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৭কোন গেইটের বিজোড় সংখ্যক 1হলে আউটপুট 1 হয়?
- (১০খ)প্রশ্ন-৬অ্যামপ্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহারের জন্য ট্রানজিস্টরের -
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৫নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসেবে ব্যবহার করলে অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?