(১০গ)প্রশ্ন-৯80 গিগাবাইটে(GB) কত বাইট (B)?
A. 8.0×1010
B. 8.0×109
C. 8.0×108
D. 8.0×107
Onushiloni MCQ HSCপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সTapan (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
8.0×1010
Explanation: 8.0×1010
Related Questions (Any University/Year)
- (১০ক)প্রশ্ন-৩২n টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত সিলিকন গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়ামনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০খ)প্রশ্ন-৪একটি ট্রানজিস্টরের পীঠ খুব সংকীর্ণ করা হয় যাতে করে -
- (১০খ)প্রশ্ন-১৬একটি ট্রানজিস্টরের বিবর্ধন গুনাঙ্ক 0.98 এবং অ্যামিটার কারেন্ট 1.5 mA হলে কালেক্টর কারেন্ট কত?
- (১০গ)প্রশ্ন-৭
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১০XNOR gate -এর আউটপুট 1 হবে যখন ইনপুট দুটি হবে-0এবং00এবং11এবং1নিচের কোনটি সঠিক?
- (১০খ)প্রশ্ন-১১ট্রানজিস্টর হচ্ছে -নিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-১১n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সাথে যে অপদ্রব্য মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪৩LED ডায়োড কি ধরনের আলো নিঃসরণ করে?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪৪উদ্দীপকে ব্যবহৃত রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- (১০খ)প্রশ্ন-৫ট্রানজিস্টরের নিঃসারক প্রবাহ -
- (১০ক)প্রশ্ন-১২অর্ধপরিবাহীতে গরিষ্ঠ আধান বাহক কোনটি?
- (১০গ)প্রশ্ন-৮98 কে বাইনারি সংখ্যায় রূপান্তরিত কর।
- (১০খ)প্রশ্ন-১৫অ্যামপ্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহৃত হয় -
- (১০খ)প্রশ্ন-১৯ট্রানজিস্টরের ক্ষেত্রে—i. IC = IE – IBii. β = α/(1-α)iii. α = β/(1+β)
- (১০ক)প্রশ্ন-৭যোজনব্যান্ড ও পরিবহনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী শক্তি ব্যাবধান 0.7eV হলে সেটি নিচের কোনটি?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৩চিত্রে A চিহ্নিত পিনটির নম্বর কত?
- (১০ক)প্রশ্ন-৯অন্তরকে যোজনব্যান্ড ও পরিবহনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী নিষিদ্ধ শক্তি ব্যাবধানের ক্রম কত?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৪p-n জাংশন সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- (১০ক)প্রশ্ন-১৬p-n জাংশন অন্তরক হিসেবে কাজ করে যখন তা সংযুক্ত করা হয়----
- (১০খ)প্রশ্ন-৬অ্যামপ্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহারের জন্য ট্রানজিস্টরের -
- (১০ক)প্রশ্ন-২৫ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর (depletion Layer)-
- (১০ঘ)প্রশ্ন-২AND gate ব্যবহৃত হয়-
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৬নিচের কোনটি মৌলিক গেট নয়?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৯p-n জাংশনে সমসংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ---
- (১০খ)প্রশ্ন-১৩ট্রানজিস্টর তৈরি করা হয় -.দুটি p টাইপের মাঝে একটি n টাইপ স্যান্ডউইচ করেদুটি n টাইপের মাঝে একটি p টাইপ স্যান্ডউইচ করেতিনটি n টাইপ পাশাপাশি রেখেনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৪সূর্য কিরণের মাধ্যমে আলোকশক্তিকে তড়িৎশক্তিতে রূপান্তরিত করে-
- (১০ক)প্রশ্ন-১৭p-n জাংশন সম্মুখী ঝোঁকে থাকলে এর রোধ কেমন হবে?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪তাপমাত্রা বৃদ্ধি কালে অর্ধপরিবাহীর তড়িৎ পরিবাহিতার কি ঘটে?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৪ওপরের গেট বর্তনীতে X=A হলে , Y=?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১২একটি সমন্বিত বর্তনীতে নিম্নের কোন উপাংশটি অনুপস্থিত?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৪n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কি মিশানো হয়?
- (১০গ)প্রশ্ন-১১হেক্সাডেসিমেলে 1F এর মান বাইনারিতে-
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৯বর্তনীর আউটপুট X হবে—
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৫নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসেবে ব্যবহার করলে অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?
- (১০গ)প্রশ্ন-২হেক্সাডেসিমেল 'C' এর বাইনারি হল-
- (১০ক)প্রশ্ন-২৭বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-১নিচের কোনটি শক্তিব্যান্ড?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৭কোন গেইটের বিজোড় সংখ্যক 1হলে আউটপুট 1 হয়?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪৫Ge ডায়োডকে উল্টো করে সংযোগ দিলে দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য— i. বিমুখী ঝোঁক প্রাপ্ত হবে ii. রোধের মধ্য দিয়ে কোন তড়িৎ প্রবাহিত হবে নাiii. রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য শূণ্য হবে
- (১০ক)প্রশ্ন-৩১P টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -অ্যালুমিনিয়াম ডোপায়িত সিলিকন বোরন ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত জার্মেনিয়াম নিচের কোনটি সঠিক?