E_(cr"/"cr^(2+))^o=2.71V
E_(Fe"/"Fe^(2+))^0 = +1.44V
E_(Al"/"Al^(3+))^0 = +1.66V
উদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবণটিকে AI ধাতু নির্মিত পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা? গাণিতিক যুক্তি দাও।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- নিচের কোনটি সক্রিয়তার ক্রমানুসারে সাজানো আছে?
- Which is the least reactive metal in the reactivity series?
- E°Cu2+/Cu=+0.34 V E°Zn2+/Zn=-0.76 VE°Fe/Fe2+=+0.44 V উদ্দীপকের দ্রবণটি জিঙ্ক পাত্র ও কপার পাত্রের মধ্যে কোনটিতে রাখা যাবে? তোমার মতামত বিশ্লেষণ কর।
- তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় একসঙ্গে একধিক আয়ন থাকলে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- নিচের উদ্দীপকটি লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর যথাযথ উত্তর দাও:কতিপয় ধাতুর বিজারণ বিভব এর মান নিম্নে দেয়া হল-(1) A2+(aq)/A(s) = +0.40 V(ii) B3+(aq)/B(s) = +1.66 V(iii) P2+(aq)/P(s) = +0.44Vউদ্দীপকে উল্লিখিত (i) নং দ্রবণ ও (ii) নং দ্রবণকে লবণ সেতু যারা সংযোগ করে গঠিত কোষের মোট কোষ বিভব নির্ণয় কর।
- Ag+/Ag এবং Au3+/Au অর্ধকোষদ্বয়ের প্রমাণ বিজারণ বিভব + 0.80 V এবং + 1.56 V। এ দুটি অর্ধকোষ দ্বারা গঠিত কোষের বিভব কত?
- (iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতু নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? • ব্যাখ্যা করো।
- উদ্দীপকের কোষটির জন্য-i. Ecell = E°Zn/Zn2+ + E°Cu/Cu2+ii. Ecell= E°Zn/Zn2+ - Ecu²+/cuiii. Ecell = Ecu²+/cu-EZn2+/zn নিচের কোনটি সঠিক?
- A(s)/A3+(0.2M) || B2+(0.15M)/B(s)এখানে,E°A(s)/A3+=+0.74V ;E°B2+/B(s)=+0.25V; E°C(s)/C2+=+0.74Vউদ্দীপকে বর্ণিত কোষের e.m.f নির্ণয় করো।
- হ্যাল???জেনের সক্রিয়তার ক্রম কোনটি?
- কোন বিক্রিয়ায় মুক্ত শক্তির পরিবর্তন (ΔG) ঋণাত্মক হলে বিক্রিয়াটি-
- Pt,1/2 H2(g)/H+(aq) ∥ Cu2+(aq)/Cu(s),E°Cu2+(aq)/Cu(s)=+0.34V কোষটির জন্য ইএমএফ এর মান কোনটি?
- একটি 30W-100V বাল্ব এবং একটি 40W-100V বাল্ব 80V লাইনে সিরিজে যুক্ত। কোনটি বেশি উজ্জ্বলভাবে জ্বলবে?
- E.M.F কী?
- Zn/ZnSO4(aq)।। CuSO4/Cu এদের E0 এর মান যথাক্রমে + 0.76V এবং + 0.34Vযদি Cu তড়িৎদ্বারের পরিবর্তে Ag তড়িৎদ্বার ব্যবহার করা হয় হত তবে কি ধরণের পরিবর্তন হতো- তোমার উত্তরের সঠিকতা যাচাই করো।Ag এর E0 এর মান + 0.80 V।
- FeSO4 দ্রবণ নিম্নে কোন ধাতব পাত্রে রাখা যাবে?
- Zn/ZnSO4(aq)।। CuSO4/Cu এদের E0 এর মান যথাক্রমে + 0.76V এবং + 0.34Vউদ্দীপকে উল্লেখিত কোষের কোষ বিক্রিয়াসহ বর্ণনা করো।
- দৃশ্যপট-১: 400 cm³ 0.6M ZnSO4 দ্রবণে 30A তড়িৎ 5min 10 sec সময় ধরে চালনা করা হলো। দৃশ্যপট-২: A3+, B2+, C2+, D+ এর প্রমাণ বিজারণ বিভবের মান যথাক্রমে–1.66V, +0.44V,-0.22V ও +0.80V30° C তাপমাত্রায় A3+(0.3M) ও B2+(0.25M) এবং C2+(0.18M) ও D+(0.15M) দ্বারা গঠিত কোষের কোনটি অধিক ভোল্টেজ উৎপন্ন করবে? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- E_(Mg^(2+)//Mg)^0 = -2.34V,E_(Fe^(2+)//Fe)^0=-0.44Vউল্লিখিত দ্রবণ দ্বারা কোষ গঠন করলে কোষটির EMF নির্ণয় করো।
- EoCu/Cu2+= -0.34 V এবং E°Fe/Fe2+=+0.44V হলে- E°cell =+0.78V Cu এর পাত্রে FeSO4 দ্রবণ রাখা যাবেCu দ্বারা জারণ-বিজারণ অর্ধকোষ তৈরি সম্ভব নয়নিচের কোনটি সঠিক?