জাংশন ডায়োডে খালি অঞ্চলের সৃষ্টি হয়-
A. সম্মুখ ঝোকের কারণে
B. ডোপিং এর কারণে
C. যুক্ত আধান সঞ্চিত হওয়ার কারণে
D. বিপরীতমুখী ঝোকের কারণে
CoUUnit-Aপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)CoU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
যুক্ত আধান সঞ্চিত হওয়ার কারণে
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- অর্ধপরিবাহীকে n-টাইপ করার জন্য যে অপদ্রব্য ব্যবহার করা হয়-
- যখন p-n জাংশন ডায়োডে সম্মুখী ঝোক প্রদান করা হয় তখন প্রবাহ প্রধানত কিসের কারণে হয়?
- ফুল ওয়েভ রেকটিফায়ারের দক্ষতা কত?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে নিচের কোন অপদ্রব্যটি মেশাতে হবে?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োড কে কি বলা হয়?
- একটি silicon diode-এর ভিতর দিয়ে 50 mA কারেন্ট প্রবাহিত হলে Power dissipation কত হবে?
- ঝোঁক প্রদানবিহীন অর্ধপরিবাহী ডায়োডের নিঃশেষিত
- ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগের ফলে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান নিম্নের কোন মাত্রার হয়?
- রেক্টিফায়ার ইনস্ট্রুমেন্টে রেক্টিফায়ার হিসাবে ব্যবহৃত হয় না-
- বাইরে থেকে (p-n) জাংশনে কয়ভাবে বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করা যেতে পারে?
- A hole in a semiconductor is.......... charged.
- নিচের কোনটির জন্য রিভার্স বায়াসের জাংশন ডায়োডের অভ্যন্তরে তড়িৎ প্রবাহিত হয়?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর যোজন ইলেকট্রনের চেয়ে অপদ্রব্যের যোজন ইলেকট্রন সংখ্যা বেশি হলে কোন ধরনের কেলাস তৈরি হবে?
- n-টাইপ অধপরিবাহী তৈরীর জন্য যে পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয় তারা-
- চিত্রের বর্তনীতে, (i) S₁ খোলা, S₂ বন্ধ, (ii) S₂ খোলা, S₁ বন্ধ দুই ক্ষেত্রে, V₁ =? I₁ = ? [Ge Diode]
- কোনটি ইনপুট এসি সিগন্যালের ক্লিপিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হয়?
- Ge জাংশন ডায়োডের প্রারম্ভের বিভব হলো- V
- একটি n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ইলেকট্রন সংখ্যা প্রোটন সংখ্যার তুলনায়-
- AC কে DC তে রূপান্তরিত করার জন্য কি ব্যবহৃত হয়?
- রিভার্স বায়াস ভোল্টেজ বৃদ্ধি করতে থাকলে ইলেকট্রনের গতিশক্তি
- Refer to the following figure, what is the value of \(V_{0}\) across the diode? [Image showing a circuit with 12V source, two 5Ω resistors and a Zener diode]
- ব্রেক ডাউন অবস্থায় কাজ করার জন্য ব্যবহার করা হয়-
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?
- ডায়োড সবচেয়ে বেশি ব্যবহৃত হয় -----
- n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে কোনটি লঘিষ্ঠ বাহক?
- একটি ব্রিজ রেক্টিফায়ার সার্কিটে ডায়োড লাগে মোট-
- How many electrons are free in a mixture of Germanium and Phosphorus ?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- কোন ভোল্টেজে পৌঁছে গেলে সাধারণত জাংশন ডায়োডের কার্যক্ষমতা বিনষ্ট হয়ে যায়?
- জেনার ডায়োড যখন বর্তনীতে ব্যবহার করা হয়, তখন সবসময় এর সংযোগ দেয়া হয়-
- Si-এর সাথে অপদ্রব্য হিসেবে As যোগ করলে কী তৈরি হবে?
- নিচের কোন ইলেকট্রোনিক্স যন্ত্র AC থেকে DC তৈরি করতে পারে?
- স্বাভাবিক তাপমাত্রায় P-টাইপ অর্ধপরিবাহীর আধান পরিবাহী কোনটি (কোনগুলাে)?
- A hole in a semiconductor is _______ charged.
- P টাইপ অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যালঘু আধান বাহক কোনটি?
- সেমিকন্ডাক্টরে পরিবাহিতার জন্য দায়ী কোনটি?
- কোন মৌলটি দিয়ে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়?
- যে ডিভাইস দিয়ে এসি প্রবাহকে একমুখি প্রবাহে রূপান্তর করা যায় তাকে বলে-
- p - n ডায়োডকে রেকটিফায়ার হিসেবে ব্যবহার করা হলে, অভিপ্রবাহ-
- নীচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুটির নি- ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V 5.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হবে? Ge ডায়োড উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত হবে?
