p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
A.
অপদ্রব্য আয়ন এর স্থানান্তর
B.
আধান বাহকের ব্যাপন
C.
ইলেক্ট্রনের তাড়ন
D.
হোলের তাড়ন
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
B.
আধান বাহকের ব্যাপন
Another Explanation (5):
প্রশ্ন: p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ কি?
উত্তর: ডিপ্লেশন স্তর (Depletion Layer) তৈরির মূল কারণ হলো আধান বাহকের ব্যাপন। নিচে এর কারণ ব্যাখ্যা করা হলো:
- p-n জাংশনে সংযোগস্থলে চার্জ ব্যবধান: যখন p-ধারার (positive charge) অঞ্চল এবং n-ধারার (negative charge) অঞ্চল সংযুক্ত হয়, তখন উভয় অঞ্চলের মুক্ত চার্জগুলি একে অপরের কাছ থেকে বিচ্যুত হয়।
- আধান বাহকের ব্যাপন: এই বিচ্যুতির ফলে, সংযোগস্থলে চার্জের অভাব ঘটে, যা একটি ডিপ্লেশন স্তর বা ডিপ্লেশন অঞ্চল (Depletion Region) সৃষ্টি করে।
- চৌম্বকীয় ও বৈদ্যুতিক বলের কারণে: এই চার্জের অভাবের জন্য সংযোগস্থলে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র সৃষ্টি হয়, যা চার্জের চলাচলকে বাধা দেয় এবং এই এলাকায় চার্জের অনুপস্থিতি তৈরি হয়।
- অর্থাৎ: এই প্রক্রিয়ায়, আধান বাহকের ব্যাপন বা বিচ্যুতি মূলত চার্জের অভাবের জন্য ঘটে, যা ডিপ্লেশন স্তর গঠনের কারণ হয়।
Related Questions (Any University/Year)
- সেমিকন্ডাকটর ডায়োড (semi-conductor diode) কী কাজে ব্যবহৃত হয়?
- Which sheet is used for mica condenser as capacitor?
- জেনার ডায়োড কী হিসেবে ব্যবহার করা যেতে পারে?
- জাংশন ডায়োড সাধারনত কী কাজে ব্যবহৃত হয়? (Junction diode is usually used for what purpose?)
- P টাইপ অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যালঘু আধান বাহক কোনটি?
- জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে সম্মুখবর্তী ভোল্টেজের মান কত?
- একটি silicon diode-এর ভিতর দিয়ে 50 mA কারেন্ট প্রবাহিত হলে Power dissipation কত হবে?
- একটি ট্রান্সফরমার ও চারটি জাংশন ডায়োডের সাহায্যে পরিবর্তী প্রবাহকে পূর্ণ তরঙ্গ একমুখীকরণ পদ্ধতির নাম-
- একটি JFET-এর IDSS = 10V, VGS = 10V হলে Input resistance কত?
- সিলিকন পরমাণুর কোন মৌল ভেজাল হিসেবে যুক্ত করলে তা P টাইপ অর্ধ পরিবাহী হবে?
- সাধারণত কোন কাজের জন্য ডায়োড ব্যবহার করা হয়?
- The normal way to close a SCR is by appropriate ____ current.
- রেক্টিফায়ার তড়িৎ প্রবাহকে -
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সঙ্গে কোনো নির্দিষ্ট অপদ্রব্য মেশানো হলে এই মিশ্রণ পদ্ধতিকে কী বলা হয়?
- কোনটির দ্বারা বিপরীত বায়াসের বহিঃবর্তনীতে তড়িৎ প্রবাহ উৎপন্ন হয়?
- জাংশন ডায়োডে খালি অঞ্চলের সৃষ্টি হয়-
- p টাইপ অর্ধপরিবাহীতে হোলের সংখ্যা (n_{p}) এবং ইলেকট্রন সংখ্যা (n_{e}) হলে, অতি উচ্চ তাপমাত্রায় নিচের কোনটি সঠিক?
- সেমিকন্ডাক্টরে পরিবাহিতার জন্য দায়ী কোনটি?
- ফুল ওয়েভ রেকটিফায়ারের দক্ষতা কত?
- নিম্নে বর্তনীতে A =+5 V ও B=0 V হলে বর্তনীর আউটপুট ভোল্টেজ কত হবে?
- একটি p-n জাংশনে 2V বিভব পার্থক্যের জন্য তড়িৎ প্রবাহ 600 mA এবং 900 mA এর জন্য তড়িৎ প্রবাহ 2.3 V। গতীয় রোধ কত ?
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- রেকটিফায়ার বর্তনীতে ব্যবহৃত ট্রান্সফরমারের গৌণ কুণ্ডলীর পাক সংখ্যা মুখ্য কুণ্ডলীর পাক সংখ্যা অপেক্ষা-
- নিচের কোনটির দ্বারা সম্মুখবর্তী বায়াসের বহিঃবর্তনীতে তড়িৎ প্রবাহ উৎপন্ন হয়?
- নিচের কোনটির জন্য রিভার্স বায়াসের জাংশন ডায়োডের অভ্যন্তরে তড়িৎ প্রবাহিত হয়?
- সিলিকনের সাথে কোন পদার্থ যোগ করলে তা p type এ পরিনত হয়?
- p-Type অর্ধপরিবাহী তে ভেজাল হিসেবে কী যুক্ত করা হয়?
- বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সাথে নিচের কোন দ্রব্য মিশিয়ে n - টাইপ অর্ধপরিবাহী গঠন করা হয়?
- কোন p-n জাংশনে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন হয় 400 mA। এর গতীয় রোধ কত?
- নিচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুইটি?? নিভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V হলে 1.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- (p-n) জাংশনে নিঃশেষিত অঞ্চলের বেধ কোনটি?
- রেকটিফায়ার সাধারনত কত ধরনের হয়?
- জেনার ডায়োড যখন বর্তনীতে ব্যবহার করা হয়, তখন সবসময় এর সংযোগ দেয়া হয়-
- রিভার্স বায়াস ভোল্টেজ বৃদ্ধি করতে থাকলে ইলেকট্রনের গতিশক্তি
- যখন p-n জাংশন ডায়োডে সম্মুখী ঝোক প্রদান করা হয় তখন প্রবাহ প্রধানত কিসের কারণে হয়?
- কোনটি দুটি ডায়োড দ্বারা পূর্ণতরঙ্গ একমুখীকরণে ব্যবহৃত যন্ত্র নয়?
- ন??ম্নের কোনটি p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে n-টাইপ অর্ধপরিবাহীর তুলনায় বেশি আছে? (Which of the following does a p-type semiconductor have more compared to an n-type semiconductor-)
- ঝোঁক প্রদানবিহীন অর্ধপরিবাহী ডায়োডের নিঃশেষিত
- কোন মৌলটি দিয়ে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করা হয়?
- n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরে কোনটি লঘিষ্ঠ বাহক?