সৌর কোষ নিচের কোন ধরন???র যন্ত্রের মধ্যে পড়ে?
A. p-n জংশন
B. ট্রানজিস্টর
C. ডায়োড
D. কোনোটিই নয়
JUUnit-HSet-1পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)JU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
ডায়োড
Explanation: প্রশ্ন বিশ্লেষণ: সৌর কোষ একটি ডিভাইস যা সূর্যের আলোকে সরাসরি বৈদ্যুতিক শক্তিতে রূপান্তরিত করে। এটি একটি ডায়োডের মতো কাজ করে, যা শুধুমাত্র একমুখী বৈদ্যুতিক প্রবাহ সৃষ্টি করতে পারে। অপশন বিশ্লেষণ: A. Ap-n জংশন: ভুল, সৌর কোষের মধ্যে Ap-n জংশন ব্যবহার হয় না। B. ট্রানজিস্টর: ভুল, সৌর কোষের মধ্যে ট্রানজিস্টরের ব্যবহার নেই। C. ডায়োড: সঠিক, সৌর কোষ ডায়োডের মতো কাজ করে, তাই এটি সঠিক উত্তর। D. কোনোটিই নয়: ভুল, সঠিক উত্তর C। নোট: সৌর কোষে ডায়োডের মতো বৈশিষ্ট্য থাকে, যা একমুখী প্রবাহ নিশ্চিত করে।
Related Questions (Any University/Year)
- P-N জাংশন ডায়োডের I-V লেখচিত্র আঁকো।
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে Depletion Layer-
- What is the difference of energy in between valence band and conduction band of silicon?
- P-N ডায়োডে সম্মুখী ঝোঁকে নিচের I-V লেখচিত্র পাওয়া গেল।লেখচিত্রের OP দ্বারা নির্দেশিত বিভবকে কী বলে?
- কোনটি বাইপোলার ডিভাইস ?
- PN-জাংশানে I - V লেখচিত্র মূল বিন্দুগামী সরলরেখা হয় কি? ব্যাখ্যা কর।
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তড়িৎ নিরপেক্ষ কি-না? ব্যাখ্যা করো।
- কোনো p-n জাংশনে 0.2V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া গেল। জাংশনের রোধ কত হবে?
- একটি p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করতে সিলিকনের সাথে যেটি ডোপিং করতে হবে?
- জার্মেনিয়াম এর সাথে নিচের কোন মৌলটি যুক্ত করলে N -type অর্ধপরিবাহী তৈরি হবে?
- একটি অপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁক প্রায়-
- n- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য যে পরমানুর দ্বারা ডোপায়ন করা হয় তারা -
- কোন একটি জাংশনে ব্যাপনের ফলে ইলেকট্রন এবং হোল প্রশমিত হলেতৈরি হয়-
- What is the value of flow in reverse bias?
- নিচে একটি ডায়োডের V- I লেখচিত্র দেখানো হলঃঅনেকক্ষণ ধরে বিদ্যুৎ প্রবাহের জন্য BC অংশের প্রবাহের চেয়ে MN অংশের প্রবাহ বেশি নিরাপদ ব্যাখ্যা করো।
- Reverse Bias-এ বিভব প্রাচীরের উচ্চতা বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- জেনার ভোল্টেজ যার বৈশিষ্ট্য —
- ১নং চিত্রে প্রদত্ত ডায়োডের অনুরূপ ৪টি ডায়োডকেবর্তনীর ন্যায় যুক্ত করা হলো (চিত্র-২)। যে কোনো একটি ডায়োডের সম্মুখবর্তী ঝোঁকে 0.12 V বিভব পরিবর্তন 3 × 10-2A তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন ঘটে।বাল্বটি সবসময় জ্বলতে থাকবে এটি সম্ভব করতে হলে D₁ ও D₂ এর সংযোগে কী পরিবর্তন আনতে হবে? চিত্র অঙ্কনপূর্বক বিশ্লেষণ কর।
- চিত্রের ডায়োড বরাবর V0 এর আসন্ন মান -
- n-ধরন অর্ধপরিবাহীর (semiconductor) সংখ্যাগরিষ্ঠ (majority) বাহক (Carrier) হলো-