
উপরের চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V রোধের মধ্যে দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহমাত্রা কত?
A.
0.47mA
B. 0.5mA
C. 1.96mA
D. 2.14mA
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
C.
1.96mA
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কি?
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর-
- একটি ব্রীজ রেকটিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক 60 Hz হলে, এর আউটপুট সংকেতের কম্পাঙ্ক কত?
- অর্ধ পরিবাহী ডায়োডকে বলে -
- কোন ট্রানজিস্টারের পীঠ ও নিঃসারক প্রবাহ যথাক্রমে 0.005mA এবং 0.85mA হলে বিবর্ধক গুণক কত হবে ?
- চিত্রের মতো ইনপুট হলে ব্রিজ রেকটিফিকেশনে আউটপুট হবে-
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I=?
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট ও গতীয় রোধের মধ্যে সম্পর্ক হল- R = elo; যখন কারেন্ট 1mA তখন ভোল্টেজ ছিল eV। কত mA কারেন্টে 7V পাওয়া যাবে? [R ও In যথাক্রমে kil ও mA এককে প্রকাশিত)
- চিত্রে, প্রত্যেকটি ডায়োড Si ডায়োড। V2 এর মান নির্ণয় কর। [প্রত্যেকটি ডায়োডের সম্মুখ বায়াসে রোধ শূন্য]
- Reverse Bias-এ বিভব প্রাচীরের উচ্চতা বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লেশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- বিশুদ্ধ অর্ধ-পরিবাহীতে অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
- ডায়োড ব্যবহৃত হয় না নিচের কোন যন্ত্রটিতে?
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য নিচের কোন পরমাণু দ্বারা ডোপায়ন করা হয়?
- p-n জাংশনে 300 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনে দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তিত হলে গতীয়রোধ কত?
- ডোপিং কী?
- একটি p-n জাংশনের গভীয় রোধ 40Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- ডায়োড সাধারণত কি হিসেবে ব্যবহৃত হয়?
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- বর্তনীতে যুক্ত সিলিকন ডায়োডের বিভব প্রাচীর 0.7V হলে বর্তনীর অ্যামিটার কত পাঠ দেখাবে?
- ডোপিংকৃত অর্ধপরিবাহক তড়িৎ নিরপেক্ষ কি-না ব্যাখ্যা কর।
- বর্তনীতে ব্যবহৃত প্রতিটি ডায়োড অভিন্ন। এদের যে কোনোটির দুইপ্রান্তে 0.6 volt বিভব পার্থক্য সৃষ্টি করায় প্রবাহ 100 mA হতে 150 mA এ পরিবর্তিত হয়। আবার ব্রীজটির সাহায্যে AC Signal কে DC Signal এ রূপান্তর করতে গিয়ে দেখা গেল D4 ডায়োডটি নষ্ট।প্রতিটি ডায়োডের গতীয় রোধ নির্ণয় কর।
- ডোপিং কী?
- P - টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের বিদ্যুৎ প্রবাহের কারণ—
- গতীয় রোধ কী?
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এর ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- অর্ধ-পরিবাহী ডায়োড ওহমের সূত্র মেনে চলে কি-না-ব্যাখ্যা কর ।
- P-টাইপ অর্ধপরিবাহী কাকে বলে?
- What is present in the fuse wire?
- কোন জাংশনের বিভব পার্থক্য 1.1V থেকে বাড়িয়ে 1.3V করায় প্রবাহমাত্রা 25mA থেকে 42mA হয়ে গেল। গতীয়রোধ কত?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- ডায়োড সাধারণত কি কাজে ব্যবহৃত হয়?
- ডায়োড বিমুখী বায়োস(Reverse biased) হলে নিঃশেষিত স্তর-
- X ও Y যথাক্রমে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল। এদেরকে সিলিকন দণ্ডে ডোপিং করে তুমি একটি ডায়োড তৈরি করলে। এখন X মৌলকে অন্য একটি সিলিকন খন্ডের মাঝখানে ডোপিং করে একটি ট্রানজিস্টরও তৈরি করলে। এটি দেখে তোমার বন্ধু Y মৌলকে মাঝখানে ডোপিং করে আরেকটি ট্রানজিস্টর তৈরি করলো।তোমার তৈরিকৃত ডায়োডটির সম্মুখ ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁক এর বায়াস বর্তনী দেখাও।
- কোন p-n জাংশনে 0.7V বিভব পার্থক্য করে 12mA প্রবাহ পাওয়া যায় এবং বিভব পার্থক্য 0.3V বাড়ালে বিদ্যুৎ প্রবাহ 12mA বাড়ে।জাংশন রোধ কত?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োড কি হিসেবে ব্যবহৃত হয়?
- p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর এর ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- একটি p - type সিলিকনের ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?