Li, Na, Ni, Si, Al- এর আয়নীকরণ বিভবের উচ্চক্রম নিম্নরূপ:
RUUnit-Hরসায়ন প্রথম পত্রমৌলের পর্যায়বৃত্ত ধর্ম ও রাসায়নিক বন্ধনআয়নীকরণ শক্তি, ইলেক্ট্রন আসক্তি ও তড়িৎ ঋনাত্বকতা (Topic Practice)RU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
Li < Na < Al < Si < Ni
Explanation:

Another Explanation (5):
আয়নীকরণ বিভবের ক্রম: Li < Na < Al < Si < Ni - এর ব্যাখ্যা
আয়নীকরণ বিভব (Ionization Potential) হলো গ্যাসীয় অবস্থায় কোনো মৌলের এক মোল পরমাণু থেকে এক মোল ইলেকট্রন অপসারণ করে এক মোল ধনাত্মক আয়নে পরিণত করতে যে পরিমাণ শক্তির প্রয়োজন হয়। পর্যায় সারণীতে মৌলসমূহের অবস্থান এবং ইলেকট্রন বিন্যাসের ওপর ভিত্তি করে আয়নীকরণ বিভবের মান ভিন্ন ভিন্ন হয়। প্রদত্ত মৌলগুলোর আয়নীকরণ বিভবের ক্রম নিচে ব্যাখ্যা করা হলো:১. পর্যায় সারণীতে অবস্থান 🌍
প্রথমে, পর্যায় সারণীতে মৌলগুলোর অবস্থান দেখা যাক:- Li (লিথিয়াম): পর্যায় ২, গ্রুপ ১
- Na (সোডিয়াম): পর্যায় ৩, গ্রুপ ১
- Al (অ্যালুমিনিয়াম): পর্যায় ৩, গ্রুপ ১৩
- Si (সিলিকন): পর্যায় ৩, গ্রুপ ১৪
- Ni (নিকেল): পর্যায় ৪, গ্রুপ ১০
২. আয়নীকরণ বিভবকে প্রভাবিত করার কারণসমূহ ⚙️
আয়নীকরণ বিভব নিম্নলিখিত বিষয়গুলোর ওপর নির্ভর করে:- পারমাণবিক আকার: আকার বৃদ্ধি পেলে নিউক্লিয়াস থেকে ইলেকট্রনের দূরত্ব বাড়ে, ফলে আকর্ষণ কমে এবং ইলেকট্রন অপসারণ সহজ হয়। তাই আয়নীকরণ বিভব কমে যায়।
- নিউক্লিয়ার চার্জ: নিউক্লিয়াসের চার???জ বাড়লে ইলেকট্রনের প্রতি আকর্ষণ বাড়ে এবং ইলেকট্রন অপসারণ কঠিন হয়। ফলে আয়নীকরণ বিভব বাড়ে।
- ইলেকট্রন বিন্যাস: স্থিতিশীল ইলেকট্রন বিন্যাস (যেমন অর্ধপূর্ণ বা সম্পূর্ণরূপে পূর্ণ কক্ষক) থেকে ইলেকট্রন অপসারণের জন্য বেশি শক্তির প্রয়োজন হয়।
- Screening effect: ভেতরের ইলেকট্রনগুলো বাইরের ইলেকট্রনকে নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ থেকে আড়াল করে রাখে, ফলে ionization energy কমে যায়।
৩. মৌলগুলোর আয়নীকরণ বিভবের তুলনা 🧪
| মৌল | প্রথম আয়নীকরণ বিভব (kJ/mol) | ব্যাখ্যা |
|---|---|---|
| Li | 520 | ক্ষার ধাতু, তুলনামূলকভাবে ছোট আকার এবং কম নিউক্লিয়ার চার্জ। |
| Na | 496 | Li এর তুলনায় বড় আকার, তাই ইলেকট্রন সরানো সহজ। |
| Al | 577.5 | Na এর থেকে Al এর নিউক্লিয়ার চার্জ বেশি এবং এটি p-ব্লকের মৌল। |
| Si | 786.5 | Al এর থেকে Si এর নিউক্লিয়ার চার্জ আরও বেশি। |
| Ni | 737 | Ni একটি संक्रमण ধাতু। এর ইলেকট্রন বিন্যাস জটিল এবং নিউক্লিয়ার চার্জ বেশি। এখানে shielding effect একটি গুরুত্বপূর্ণ বিষয়। d-অরবিটালে ইলেকট্রন থাকার কারণে এর আয়নীকরণ বিভব তুলনামূলকভাবে বেশি। |