চিত্রটি একটি আদর্শ ডায়োড হলে, 10Ω এর মধ্য দিয়ে ভোল্টেজ ড্রপ কত হবে?
A. 66.67 V
B. 33.33 V
C. 66.43 V
D. 0 V
EAPপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)EAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
66.67 V
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- P-টাইপ অর্ধপরিবাহী কাকে বলে?
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো -
- নিচের কোন গেইটটি AND এবং NOT গেইটের সমন্বয়ে তৈরি?
- সেমিকন্ডাকটরের ক্ষেত্রে পরিবহন ব্যান্ড ও যোজ্যতা ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তির ব্যবধান কত?
- ডোপীং কী?
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট ও গতীয় রোধের মধ্যে সম্পর্ক হল- R = elo; যখন কারেন্ট 1mA তখন ভোল্টেজ ছিল eV। কত mA কারেন্টে 7V পাওয়া যাবে? [R ও In যথাক্রমে kil ও mA এককে প্রকাশিত)
- p-n জাংশন ডায়োডের ক্ষেত্রে "বিপরীত সম্পৃক্ত কারেন্ট"- ব্যাখ্যা করো।
- সম্মুখী ঝোঁক ব্যবস্থায় প্রবাহ কেন বৃদ্ধি পায়?
- n-type অর্ধ-পরিবাহী তৈরীতে প্রয়োজনীয় অপদ্রব্যটি হতে হবে-
- একটি অর্ধ পরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁকা স্থান কত ইলেক্ট্রন-ভোল্টের?
- তাপ অন্তরকের আবরণ যুক্ত দৃঢ় পাত্রে একটি আদর্শ গ্যাস শূন্য মাধ্যমে প্রসারণ করা হলো। ফলে নিম্নের কোনটি ঘটবে?
- দ্বিমুখী ঝোঁকে ডিপলেশন স্তরের প্রস্থ বৃদ্ধি পায় কেন?
- What is diode used as generally?
- সিলিকনের বিভব প্রাচীর-
- চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7V ও 0.3V.উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে র???ধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা -
- কোনো জাংশনের বিভব পার্থক্য 2.4V থেকে বাড়িয়ে 2.55V করায় প্রবাহমাত্রা 300mA বৃদ্ধি পেল। গতীয় রোধ কত?
- তড়িৎ উৎসের ধনাত্মক ও ঋনাত্বক প্রান্তকে যখাক্রমে p-n জংশনের সাথে যুক্ত করা হলে তাকে কী বলে?
- "টাংস্টেন রোধের উষ্ণতা সহগ 4.25 × 10-3 °C" বলতে কী বুঝ?
- What one is to be added to silicon to make a p-type semiconductor?
- ডোপায়ন তড়িৎ প্রবাহে কী ভূমিকা রাখে- ব্যাখ্যা করো।