কোনটি সত্য নয়?
Dentalপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রচল তড়িৎওহমের সূত্র (Topic Practice)Dental - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
গৌণ কোষের তুলনায় প্রাথমিক কোষের তড়িচ্চালক শক্তি ও অন্তরোধ অপেক্ষাকৃত কম
Explanation:

Another Explanation (5): ```html
\(r_{প্রাথমিক} > r_{গৌণ}\) ➗
\(r\) = অভ্যন্তরীণ রোধ (Internal Resistance) ⚛️ ```
প্রশ্ন: কোনটি সত্য নয়?
উত্তর: "গৌণ কোষের তুলনায় প্রাথমিক কোষের তড়িচ্চালক শক্তি ও অন্তরোধ অপেক্ষাকৃত কম"
ব্যাখ্যা
এখানে প্রদত্ত উক্তিটি সত্য নয়। এর কারণ:
- তড়িচ্চালক শক্তি (EMF): সাধারণত, গৌণ কোষের (যেমন লিথিয়াম-আয়ন ব্যাটারি) তড়িচ্চালক শক্তি প্রাথমিক কোষের (যেমন ড্রাই সেল) তুলনায় বেশি হয়।🔋⚡️
- অভ্যন্তরীণ রোধ (Internal Resistance): প্রাথমিক কোষের অভ্যন্তরীণ রোধ গৌণ কোষের তুলনায় বেশি হওয়ার সম্ভাবনা থাকে।⏳⚛️ এর কারণ হল প্রাথমিক কোষের গঠন এবং রাসায়নিক বিক্রিয়া সাধারণত গৌণ কোষের তুলনায় আলাদা হয়।🧪
অতএব, সঠিক বক্তব্য হল:
গৌণ কোষের তুলনায় প্রাথমিক কোষের তড়িচ্চালক শক্তি বেশি হতে পারে অথবা কমও হতে পারে, কিন্তু সাধারণত গৌণ কোষের তড়িচ্চালক শক্তি বেশি হয়ে থাকে। এবং গৌণ কোষের তুলনায় প্রাথমিক কোষের অভ্যন্তরীণ রোধ অপেক্ষাকৃত বেশি। 📈📉
উদাহরণ:
- প্রাথমিক কোষ (Primary cell): ড্রাই সেল (Dry cell) - দুর্বল তড়িচ্চালক শক্তি ও উচ্চ অভ্যন্তরীণ রোধ যুক্ত।
- গৌণ কোষ (Secondary cell): লিথিয়াম-আয়ন (Lithium-ion) - শক্তিশালী তড়িচ্চালক শক্তি ও নিম্ন অভ্যন্তরীণ রোধ যুক্ত।
গণিতের ভাষায় প্রকাশ করলেঃ
\(E_{গৌণ} > E_{প্রাথমিক}\) হওয়ার সম্ভবনা বেশি। ➕\(r_{প্রাথমিক} > r_{গৌণ}\) ➗
এখানে,
\(E\) = তড়িচ্চালক শক্তি (EMF) 🔋\(r\) = অভ্যন্তরীণ রোধ (Internal Resistance) ⚛️ ```