বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে সামান্য পরিমাণ পঞ্চযোজী ডোপায়িত করলে এটি পরিণত হয়-
A. P-type অর্ধ পরিবাহী
B. n-type অর্ধ পরিবাহী
C. অন্তরক
D. অতিপরিবাহী
JUUnit-ASet-2পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)JU - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
n-type অর্ধ পরিবাহী
Explanation: প্রশ্ন বিশ্লেষণ: এখানে সিলিকন এবং পঞ্চযোজী ডোপায়িত করার পর কী ধরনের অর্ধ পরিবাহী তৈরি হয় তা নিয়ে প্রশ্ন করা হয়েছে। পঞ্চযোজী ডোপিং এর ফলে n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরি হয়। অপশন বিশ্লেষণ: A. P-type অর্ধ পরিবাহী: ভুল, এটি সঠিক নয়। B. n-type অর্ধ পরিবাহী: সঠিক, এটি সঠিক উত্তর। C. অন্তরক: ভুল, এটি সঠিক নয়। D. অতিপরিবাহী: ভুল, এটি সঠিক নয়। নোট: সিলিকন ডোপিং এর মাধ্যমে n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরি হয়।
Related Questions (Any University/Year)
- চিত্রে আদর্শ ডায়োড ব্যবহার করা হয়েছে।Vin ইনপুট সিগনাল হলে, আউটপুট কোনটি?
- গবেষণাগারে একজন শিক্ষার্থী চারটি একই রকমের ডায়োড নিয়ে পরীক্ষা করছিল। সে দেখতে পেল যে প্রতিটি ডায়োডের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য 0.4Volt পরিবর্তন করা হলে তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন 100mA হয়। ডায়োডগুলো ব্যবহার করে সে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ার তৈরি করে পরীক্ষণ শুরু করল। কিছুক্ষণ পর সে বর্তনী থেকে একটি ডায়োড খুলে ফেলল। উদ্দীপকে উল্লিখিত ডায়োডের গতীয় রোধ কত?
- নিবৃত্তি বিভব কী?
- লেখচিত্র হতে সম্মুখী ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁকের রোধের মান নির্ণয় করে তুলনা করো।
- উদ্দীপকের p-n অংশের গতীয় রোধ নির্ণয় করো।
- ডায়োডের নী-বিভব 0.5 V হলে, I এর মান কত?
- N-type অর্ধ-পরিবাহী ঋণাত্মক চার্জে চার্জিত কি-না? ব্যাখ্যা কর।
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রিশন স্তর সৃষ্টির কারণ হল-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য সিলিকন এর সাথে কোন অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয়?
- p-n জাংশনের সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- একটি অর্ধ পরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁকা স্থান কত ইলেক্ট্রন-ভোল্টের?
- কোনো p-n জাংশনে 0.5V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 40mA ও 0.35V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 35mA পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- একটি p-টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অপদ্রব্য পরমাণু দিয়ে ডোপিং করা হয়, সেটি হল-
- What is the charge carrier of p-type semiconductor at normal temperature?
- বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লেশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য সিলিকন এর সাথে কোন অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয়?
- পশ্চাৎ বায়াস বৃদ্ধির সাথে, পি-এন ডায়োডে বিপরীত তড়িৎ প্রবাহ-
- ডোপিং কী?
- p-n জাংশনে 0.3V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য 6mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া যায়। জাংশনের গতীয় রোধ কত হবে?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?