সিলিকনের বিভব প্রাচীর- 

সিলিকনের বিভব প্রাচীর (Silicon Band Gap)

সিলিকনের মধ্যে ব্যান্ড গ্যাপ বা বিভব প্রাচীর হল সেই শক্তি যা ইলেকট্রনকে valence ব্যান্ড থেকে conduction ব্যান্ডে উত্তীর্ণ করতে প্রয়োজন হয়। এটি মূলত সিলিকনের অর্ধপরমাণু বৈশিষ্ট্যের কারণে হয়।

সাধারণত, সিলিকনের বিভব প্রাচীরের মান প্রায় \(\text{0.4 V}\)। এই মানটি সিলিকনের ক্রিস্টালিন স্তরে অবস্থিত এবং এটি এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য নির্ধারণে গুরুত্বপূর্ণ।

অর্থাৎ, সিলিকনের বিভব প্রাচীরের মান হল:

\(E_g \approx 1.1\, \text{eV}\)

তবে, তাপমাত্রা অনুযায়ী বা বিভিন্ন পরিবেশে এই মানের কিছু পরিবর্তন হতে পারে।

অতএব, সিলিকনের বিভব প্রাচীরের মান প্রায় \(\boxed{0.4\, \text{V}}\) বা 0.4 ভোল্ট।