একজন শিক্ষার্থী দস্তা ধাতু নির্মিত পাত্রে ফেরাস সালফেট দ্রবণ রাখে। [জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে- 0.76 ভোল্ট ও + 0.44 ভোল্ট]
কোষটির তড়িচ্চালক বল কত হবে?
A. -0.32 V
B. +0.32 V
C.
+1.20 V
D. -1.20 V
সঠিক উত্তরঃ
C.
+1.20 V
Explanation:

Another Explanation (5): ```html
ব্যাখ্যা:
এখানে, দস্তা (Zn) ধাতু নির্মিত পাত্রে ফেরাস সালফেট (FeSO₄) দ্রবণ রাখা হয়েছে। 🧪 দস্তার প্রমাণ বিজারণ বিভব (E°Zn²⁺/Zn) = -0.76 V ⚡ আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব (E°Fe²⁺/Fe) = -0.44 V 🔩 যেহেতু দস্তার বিজারণ বিভব আয়রনের থেকে কম, তাই দস্তা জারণ (oxidation) প্রক্রিয়ায় অংশ নিবে এবং ফেরাস আয়ন বিজারণ (reduction) প্রক্রিয়ায় অংশ নিবে। 💫 কোষ বিক্রিয়া হবে: Zn(s) + Fe²⁺(aq) → Zn²⁺(aq) + Fe(s) ⚗️ অ্যানোড (জারণ): Zn(s) → Zn²⁺(aq) + 2e⁻ 🔋 ক্যাথোড (বিজারণ): Fe²⁺(aq) + 2e⁻ → Fe(s) 💡 কোষের তড়িচ্চালক বল (EMF, E°cell) নির্ণয়ের সূত্র: E°cell = E°cathode - E°anode ✅ এখানে, E°cathode = E°Fe²⁺/Fe = -0.44 V 🔌 E°anode = E°Zn²⁺/Zn = -(-0.76 V) = +0.76 V ⚙️ সুতরাং, E°cell = -0.44 V + 0.76 V = +0.32 V 💥 তবে প্রদত্ত উত্তর +1.20V সঠিক নয়। Zink এর জারণ বিভব +0.76 এবং আয়রনের বিজারণ বিভব -0.44 সুতরাং কোষ বিভব +0.32V 👌 ```Related Questions (Any University/Year)
- কপার ও জিঙ্কের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে +0.34V ও –0.76V হলে-কপার জিঙ্কের চেয়ে শক্তিশালী জারকCuSO4 দ্রবণে Zn যোগ করলে Cu অধঃক্ষিপ্ত হয়কোষে জিঙ্ক অ্যানোড হয়নিচের কোনটি সঠিক?
- ['A' এবং 'B' এর পারমাণবিক সংখ্যা যথাক্রমে 12 ও 24 এবং EA/A2+ = +2.36 V ও E°B/B2+=+0.74 V]B+3 আয়নের দ্রবণ দস্তার পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- নিচের কোন তড়িৎ কোষের বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে?
- একসঙ্গে একাধিক আয়ন থাকলে তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- Fe|Fe2+(M)||Cu2+(M)|Cu কোষটির প্রমাণ e.m.f =?
- Galvanizing প্রক্রিয়ায় কোন ধাতুর প্রলেপ দেয়া হয়?
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- (iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতু নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? • ব্যাখ্যা করো।
- Li\(^+\) -এর প্রমাণ বিজারণ বিভব E\(^o\) (V) হলো-
- সাধারণ অবস্থায় একটি ভোল্টায়িক বৈদ্যুতিক সেলের e.m.f. হবে?
- নিচের কোন ধাতুটি অ্যালুমিনিয়াম লবণের দ্রবণ রাখার পাত্র হিসেবে উপযুক্ত নয়?
- X2+ +2e-→X; E°=-0.44 VY2++2e-→Y; E°=-0.25 VZ2++2e-→Z; E°=-2.3 VX ও Y তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের বিভব নির্ণয় করো।[C-2.4.5, S.B-SciCQ3 : 2023-24]
- 250C তাপমাত্রায় কপারের প্রমাণ জারণ বিভব (Cu/Cu2+) কত?
- উদ্দীপকের আলোকে কোষ বিক্রিয়াটির মোট কোষ বিভব নির্ণয় করো
- কোনটি সঠিক?
- যদি নিচের চারটি সেলের emf এর মান যথাক্রমে E1, E2, E3 ও E4 হয় তাহলে নিচের কোন কোনটি সঠিক?Zn|Zn2+ (0.1M)||Ag+(1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(0.1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(1M)|Ag(Zn|Zn2+ (0.02M)||Ag+(0.1M)|Agনিচের কোন কোনটি সঠিক?
- নিচের কোন মৌলটি HCI এসিড থেকে H প্রতিস্থাপন করতে পারে?
- কোন বিক্রিয়ায় মুক্ত শক্তির পরিবর্তন (ΔG) ঋণাত্মক হলে বিক্রিয়াটি-
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জযুক্ত হবে?
- নিকেল, সিলভার এবং জিংক এর প্রমাণ বিজারণ বিভবের মান যথাক্রমে -0.25V, +0.799V এবং -0.76Vউদ্দীপকের কোষটিতে সংঘটিত অর্ধকোষ বিক্রিয়া এবং কোষ বিক্রিয়া লেখো।
- ২নং দ্রবণকে সরিয়ে দিয়ে উত্ত স্থানে ৩নং দ্রবণ রাখা যাবে কিনা?গাণিতিক বিশ্লেষণ করো
- কোন ক্যাটায়নটির ক্যাথোডে চার্জমুক্ত হওয়ার প্রবণতা বেশি?
- নিচের কোনটি লঘু H2SO4 থেকে হাইড্রোজেন বিমুক্ত করতে পারে ?
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উল্লিখিত তথ্যের আলোকে-আয়রনের পাত্রে জিংক লবণের দ্রবণ দীর্ঘকালীন রাখা যাবে নাকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবেZn ক্ষয়প্রাপ্ত হবেনিচের কোনটি সঠিক?
- 0.5 F তড়িৎ দ্বিযোজী মৌলের তড়িৎবিশ্লেষ্য দ্রবণে প্রবাহিত করলে মৌলের কতটি পরমাণু তড়িৎদ্বারে সঞ্চিত হবে?
- কোথায় শুষ্ক কোষের ব্যবহার নেই?
- হাইড্রোজেনের তুলনয় কোনটি কম সক্রিয়?
- Zn2+(aq)| Zn(s) ও Ag+(aq)| Ag(s) তড়িৎদ্বার দুইটির বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.80V। এই তড়িৎদ্বার দুটি দ্বারা তৈরি কোষের মোট কোষ বিভব কত?
- সক্রিয়তার ক্রমের ক্ষেত্রে নিচের কোনটি সঠিক?
- নিচের কোন ধাতুটি এসিড থেকে H2-কে প্রতিস্থাপিত করতে পারে?
- M/M2+ || N+/N, E°M/M²+ = 0.76 volt এবং E°N/N+= –0.4 volt. প্রদত্ত কোষটির e.m.f কত volt?
- সাধারণ তাপমাত্রায় H2O থেকে H2 প্রতিস্থাপন করতে পারে কোন ধাতু?
- উদ্দীপকের ASO4 দ্রবণ B পাত্রে এবং BSO4 দ্রবণ A পাত্র রাখা কোনটি যুক্তিযুক্ত হবে তা বিশ্লেষণ করো।
- X (s)+ Y2+ (aq) ⇌X2+ (aq)+ Y (s)E°X2+ (aq)/ X (s)= -0.62 V E°Y2+ (aq)/ Y(s)= 0.20 Vউদ্দীপকের কোষটির কোষ বিভব কত?
- (i)Al(s)/Al3+(aq)||X2+/X(s)(ii)Al(s)/Al3+(aq)||Y2+(aq)/Y(s)E°X/X2+=+0.14 V, E°Al/Al3+=+1.66 V; E°Y/Y2+=+0.25 V (i) নং ও (ii) নং কোষের মধ্যে কোনটি থেকে অধিক তড়িৎশক্তি পাওয়া যাবে
- প্রমাণ জারণ বিভব কী?
- মুক্ত শক্তির পরিবর্তন (ΔG) ঋণাত্মক হলে, তড়িৎ কোষে বিক্রিয়াটি কেমন হবে?
- কোষে X2+ এর ঘনমাত্রা পরিবর্তন করে 0.3 M করা হলে বৈদ্যুতিক বাতির উজ্জ্বলতার পরিবর্তন হবে কি না বিশ্লেষণ করো।
- Which cell directly makes electric energy from its chemical energy?