Ge ও Si ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V
Ge ডায়োড কে উল্টা করে সংযোগ দিলে প্রান্তের বিভব পার্থক্য _
- বিমুখী ঝোঁক প্রাপ্ত হবে
- রোধের মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহিত হবে
- রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য শূন্য হবে
নিচের কোনটি সঠিক?
A.
i, ii
B.
i, iii
C.
ii, iii
D.
i, ii, iii
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সপরিবাহী, অপরিবাহী ও অর্ধপরিবাহী (Topic Practice)
সঠিক উত্তরঃ
D.
i, ii, iii
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- নিচের কোনটি অন্তরক?
- ট্রানজিস্টর ব্যবহার করা যায়—সুইচ হিসেবে রেকটিফায়ার হিসেবে অ্যামপ্লিফায়ার হিসেবে নিচের কোনটি সঠিক?
- ব্যান্ড তত্ত্বের ভিত্তিতে পরিবাহী ও অর্ধপরিবাহী আলাদা করো।
- CD অংশের গতীয় রোধ কত ?
- সিলিকন মৌলের ক্ষেত্রে নিষিদ্ধ শক্তি ফাঁক (Forbidden energy) এর মান কত?
- Ge অর্ধপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তির ফাঁকা কত eV?
- বি???ুদ্ধতম আকারে একটি অর্ধপরিবাহীকে বলা হয়ঃ
- কোয়ান্টাম ডটস কী?
- 'USB'এর পূর্ণরূপ কোনটি ?
- ঝোঁক প্রদান বিহীন অর্ধপরিবাহী ডায়োডের নিঃশেষিত অঞ্চলে থাকে -
- Which is used as an insulator?
- নিচের কোনটি extrinsic semiconductor?
- নিচের কোনটি অর্ধপরিবাহী নয়?
- নিচের কোনটি পোলার ডাইইলেক্ট্রিক পদার্থ নয়?
- বাংলাদেশের মোবাইল অপারেটরগণ এখন কোন প্রযুক্তি ব্যবহার করেছেন?
- বহির্জাত অর্ধপরিবাহী কাকে বলে?
- Which language is most commonly used for Al development?
- কোন ব্যান্ডের সকল ইলেকট্রনই মুক্ত ইলেকট্রন?
- জার্মেনিয়ামের সাথে নিচের কোন মৌলটি করলে n-type অর্ধপরিবাহী তৈরি হয়?