300C
- P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
- Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
- R2+(aq)/R(s) = +0.44V
উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- কোন আয়নটির চার্জযুক্ত হওয়ার প্রবণতা তুলনামূলকভাবে কম?
- E.M.F কী?
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে ?
- Pt,H(g) (1atm,25°C)/H2SO4 (aq)||CuSO4 (aq)/Cu(s)E°Cu/Cu2+ =–0.34Vকোষটির প্রমাণ emf কত?
- তড়িৎদ্বার বিভব কী?
- কোনটি সঠিক?
- নিচের কোন তড়িৎদ্বারটির প্রমাণ বিজারণ বিভবের মান সবচেয়ে কম?
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জ মুক্ত হবে?
- উদ্দীপকের ১ম কোষের দ্রবণটিকে B ও C পাত্রে দীর্ঘ সংরক্ষণের এক হবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- কোনটি H2SO4 থেকে H+ কে প্রতিস্থাপন করতে পারে না?
- E°C/Cu2+ = 0.34V এবং E°Fe/Fe2+ = + 0.44V নিম্নের কোনটি সঠিক?
- দুটি তড়িৎদ্বার বিভবের মান নিম্নরূপ :i. Fe2+ + 2e → Fe ; Eo = -0.44Vii. Pb2+ + 2e → Pb ; Eo = -0.12Vউদ্দিপকের অর্ধকোষ দুটির সাথে প্রমাণ হাইড্রোজেন তড়িৎদ্বার আলাদাভাবে যুক্ত করলে গঠিত কোষের তুলনামূলক বিশ্লেষণ কর ।
- নিচের ধাতুগুলির মধ্যে কোনটি জলীয় সিলভার নাইট্রেট-এ ডুবালে পৃষ্ঠ তলে সিলভার জমা হবে না?
- (A) E°Zn2+/Zn= -0.76V;(B) E°Cu2+/Cu= +0.34V;(C) E°Ni/Ni2+= +0.25V Cu পাত্রে NiSO4 দ্রবণ রাখা যাবে B ও C এর দ্বারা গঠিত কোষ বিক্রিয়া স্বর্তঃস্ফূত নয় A ও B এর সমন্বয়ে গঠিত কোষের Emf= +0.11Vনিচের কোনটি সঠিক?
- সাধারণ অবস্থায় একটি ভোল্টায়িক বৈদ্যুতিক সেলের e.m.f. হবে?
- উদ্দীপকের C2+দ্রবণ A ধাতু ও B ধাতুর পাত্রে রাখা যাবে কিনা বিক্রিয়ার স্বতঃস্ফূর্ততার নীতি দিয়ে বিশ্লেষণ করো।
- উদ্দীপকের তড়িৎ রাসায়নিক কোষটির প্রমাণ তড়িচ্চালক বল হিসাব করো।
- নিম্নের ধাতুগুলোর মধ্যে তড়িৎকোষ এ অ্যানোড রূপে ব্যবহৃত হওয়ার প্রবণতা কোনটির বেশি হবে?
- Fe/FeSO4(aq, 1M) II CuSO4(aq, 2M)/Cu যেখানে,E°Fe2+/Fe=0.44V এবং E°Cu2+/Cu+0.34Vউদ্দীপকের বিজারণ অর্ধকোষের তড়িৎ বিশ্লেষ্য পদার্থকে দস্তার পাত্রে রাখা যাবে কি? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো। [E°Zn2+/Zn= –0.76V]
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হয়?