(১০খ)প্রশ্ন-১১ট্রানজিস্টর হচ্ছে -
A. i ও ii
B. i ও iii
C. ii ও iii
D. i, ii ও iii
Onushiloni MCQ HSCপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সTapan (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
i ও iii
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- (১০ক)প্রশ্ন-৬অর্ধপরিবাহীর যোজনব্যান্ড ও পরিবহনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী নিষিদ্ধ শক্তি ব্যাবধানের ক্রম কত?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪১একটি ডায়োড রিভার্স বায়াসে যুক্ত হলে ↑ চিহ্ন দ্বারা বৃদ্ধি এবং ↓ চিহ্ন দ্বারা হ্রাস নির্দেশিত হলে নিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-২৯p-n জাংশন ব্যাবহার করা হয়---বিবর্ধক হিসেবেএকমুখীকারক হিসেবেভোল্টেজ স্থিতিকারক হিসেবেনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-২২রেকটিফায়ার হিসেবে ডায়োড রুপান্তর করে -
- (১০ক)প্রশ্ন-৩২n টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত সিলিকন গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়ামনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-২৭বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-৪৩LED ডায়োড কি ধরনের আলো নিঃসরণ করে?
- (১০গ)প্রশ্ন-৫(7B.F6)2 এর বাইনারি মান কত?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৫উদ্দীপকের টেবিলটি নিচের কোন লজিক গেটের জন্য প্রযোজ্য?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৪n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কি মিশানো হয়?
- (১০ক)প্রশ্ন-১৯p-n জাংশনে সমসংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ---
- (১০ক)প্রশ্ন-৮P-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব্য মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- (১০খ)প্রশ্ন-২একটি ট্রানজিস্টরের তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে এর-
- (১০ক)প্রশ্ন-৩০অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য ---এদের রোধকত্ব প্রায় 10-4Ωm পরমশুন্য তাপমাত্রায় এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করেপরিবহন ও যোজনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী দূরত্ব 1.1eV এর কমনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-৯অন্তরকে যোজনব্যান্ড ও পরিবহনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী নিষিদ্ধ শক্তি ব্যাবধানের ক্রম কত?
- (১০গ)প্রশ্ন-৬
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৩নিচের কোন গেটটি AND এবং NOT সমন্বয়ে তৈরি?
- (১০ক)প্রশ্ন-২৫ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর (depletion Layer)-
- (১০খ)প্রশ্ন-৯নিচের কোনটি NPN ট্রানজিস্টর?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১৮একটি X-OR গেটে A এবং B এর ইনপুট কত হলে আউটপুটে রাখা LED টি জ্বলে ওঠবে, যদি LED টির ক্যাথোড 0V-এ লাগানো থাকে?