Ge অর্ধপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্য শক্তির ফাঁক কত eV?
A. 0.3
B. 0.5
C. 0.7
D. 1.3
SUSTUnit-BSet-1পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সপরিবাহী, অপরিবাহী ও অর্ধপরিবাহী (Topic Practice)SUST - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
0.7
Explanation: Hints: অর্ধপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড এর শক্তি পার্থক্য সাধারণত \( 0.7 \, \text{eV} \) থেকে \( 1.1 \, \text{eV} \) এর মধ্যে হয়ে থাকে।
Solve: অর্ধপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তি পার্থক্য পরিবাহীর চেয়ে বেশি কিন্তু অপরিবাহীর চেয়ে কম।
যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তি পার্থক্য \( \text{Ge} \) এর \( 0.7 \, \text{eV} \) এবং \( \text{Si} \) এর \( 1.1 \, \text{eV} \)।
Ans. (C)
Another Explanation (5): ```html
Ge অর্ধপরিবাহীর শক্তি ফাঁক
Ge (জার্মেনিয়াম) একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান। এর যোজন ব্যান্ড (Valence band) ও পরিবহন ব্যান্ডের (Conduction band) মধ্যে একটি শক্তি ফাঁক (Energy gap) বিদ্যমান। এই শক্তি ফাঁকের মান তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল।
শক্তি ফাঁকের মান
সাধারণ তাপমাত্রায় (300 K), Ge অর্ধপরিবাহীর যোজন ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ডের মধ্যে শক্তির ফাঁক \( E_g \) প্রায় 0.7 eV (ইলেকট্রন ভোল্ট)।
তাপমাত্রার প্রভাব
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে জার্মেনিয়ামের শক্তি ফাঁকের মান সামান্য হ্রাস পায়।
গুরুত্বপূর্ণ তথ্য
- উপাদান: জার্মেনিয়াম (Ge)
- প্রকার: অর্ধপরিবাহী (Semiconductor)
- শক্তির ফাঁক \( E_g \): ≈ 0.7 eV ⚡
Related Questions (Any University/Year)
- অতি নিম্ন তাপমাত্রায় যেসব পর্দাথের রোধ শূন্যে নেমে আসে সেসব পদার্থকে কী বলে?
- P-type, সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর যা দ্বারা ডোপিং করা হয়-AlAsPনিচের কোনটি সঠিক?
- কোনো সেমিকন্ডাক্টরের ব্যান্ড গ্যাপ 1.7eV হলে তৈরিকৃত LED বাল্ব হতে নিঃসরিত আলোক কম্পাঙ্ক কত হবে?
- অর্ধ পরিবাহী পদার্থের ইলেকট্রন বিন্যাসের সর্বশেষে গুরে ইলেকট্রন সংখ্যা-
- দিক পরিবর্তী প্রবাহের মান সর্বোচ্চ হতে শূন্যমান পৌঁছাতে কত সময় লাগে?
- অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?
- নিচের কোনটির রোধের উষ্ণতা সহগ ঋণাত্মক _
- কোন পদার্থের রোধের উষ্ণতা সহগ ঋণাত্মক?
- তড়িৎ পরিবাহিতার প্রকৃতি অনুসারে কঠিন পদার্থকে কয়টি শ্রেণিতে ভাগ করা যায়?
- তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে অর্ধ-পরিবাহীর পরিবাহীতা -
- পরমাণুর যোজন ইলেকট্রনগুলোর দরুণ যে শক্তি ব্যান্ড তৈরি হয় তাকে কী বলে?
- অর্ধ পরিবাহকের ক্ষেত্রে নিম্নের কোন উক্তিটি সত্য?
- p-n জাংশনের সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ-
- কোন pn সংযোগে সম্মুখ ঝোঁক প্রয়োগ করলে তা-
- কোন ধাতুটির কার্যপেক্ষ?
- তামার ও সিলিকনের দুইটি তারকে কক্ষ তাপমাত্রা থেকে 80K এ ঠান্ডা করা হলে তার দুইটির রােধ-
- কোন পদার্থে যোজন ব্যান্ড ইলেকট্রন দ্বারা আংশিক পূর্ণ থাকে এবং পরিবহন ব্যান্ড সম্পূর্ণ খালি থাকে?
- কোনটি অন্তরক পদার্থ নয়?
- কোন পদার্থের রোদের উষ্ণতা সহগ ɑ এর মাম ঋণাত্মক?
- Through which is there no loss of energy when transferring current ?
- ডোপিং কী?
- ডোপিং কি?
- ডোপিং কি?
- তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে কোনটির পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়?
- নিম্নের কোনটি সেমিকন্ডাক্টর?
- তাপমাত্রা হ্রাস করলে অর্ধপরিবাহীর–
- অর্ধপরিবাহী পদার্থের রোধের উষ্ণতা সহগ কোনটি হতে পারে?
- ট্রানজিস্টরের পীঠের পুরুত্ব কম হয় কেন?
- সৌরকোষে কোনটি ব্যবহৃত হয়?
- Extrinsic Semiconductor কোনটি?
- অর্ধ পরিবাহক এর ক্ষেত্রে -আপেক্ষিক রোধ ρ = 1012Ωmযোজ্যতা ব্যান্ড ও পরিবহন ব্যান্ড এর মধ্যে শক্তি পার্থক্য <2evতাপমাত্রা বাড়ালে রোধকত্ব কমে যায়নিচের কোনটি সঠিক?
- টুর্ম্যালিন এর ক্ষেত্রে কোনটি সঠিক?
- পরিবাহীর পরিবাহিতার উপর তাপমাত্রার প্রভাব ব্যাখ্যা কর ।
- তাপমাত্রার সাথে অর্ধপরিবাহীর রোধের পরিবর্তন ব্যাখ্যা করো।
- কোন তাপমাত্রায় কোন ধরনের পদার্থের পরিবহন ব্যান্ড সম্পূর্ণ ফাঁকা থাকে না?
- কোন ধরনের পদার্থে পরিবহন ব্যান্ড ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যে কোনো শক্তি ব্যবধান থাকে না?
- কক্ষ তাপমাত্রায় বিশুদ্ধ সিলিকনের ক্ষেত্রে নিষিদ্ধ শক্তির ব্যবধান কত? (What is the forbidden energy gap for pure silicon at room temperature?)
- তাপমাত্রা বাড়ালে অর্ধপরিবাহীর রােধ -
- হাইড্রোজেন পরমাণুর ইলেকট্রনের ভূমি অবস্থার শক্তি – 13.6 eV হলে প্রথম উত্তেজিত স্তরে উহার শক্তি কত eV?
- সেমিকন্ডাক্টর রূপে ব্যবহৃত অপধাতুর প্রতীক হলো-