A এর জারণ বিভব+ 1.66 V, A এর জারণ মান +3
B এর জারণ বিভব + 0.76 V, B এর জারণ মান =+2
C এর জারণ বিভব -0.80 V, C এর জারণ মান = +1
উদ্দীপকের B দ্বারা নির্মিত পাত্রে C₂SO₄ ও A2(SO4)3 দ্রবণের কোনটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে? ব্যাখ্যা কর।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- স্টিম থেকে H2 কে প্রতিস্থাপন করতে পারে কোনটি?
- M' এর পারমাণবিক ভর=58.725°C তাপমাত্রায় M2+/M=-0.77 VM'/M2+=+0.23 VM''2+/M"=0.34 Vকোষদ্বয় দীর্ঘ সময় ব্যবহারের ক্ষেত্রে কোনো সমস্যা সৃষ্টি হবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- প্রমাণ হাইড্রোজেন তড়িৎদ্বারের বিভব কত?
- লোহার পাত্রে নিম্নের কোন দ্রবণটি রাখা যবে?
- উপরের কোষটির emf কত?
- তিনটি তড়িৎদ্বার ও তাদের তড়িৎদ্বার বিভব দেয়া আছে,Zn(s)/Zn2+(aq) Eo = +0.76VFe(s)/Fe2+(aq) Eo = +0.44VCu(s)/Cu2+(aq) Eo = -0.34Vতড়িৎদ্বার তিনটি দ্বারা গঠিত দুটি কোষ হল—Zn(s)/Zn2+(aq) || Cu2+(aq) /Cu(s)গঠিত কোষসমূহে কোন তড়িৎদ্বার হতে ধনাত্মক আয়ন দ্রবণে প্রবেশ করবে?
- নিম্নের কষটির তড়িৎচালক বল কত?Fe/Fe2+ (1M) || Cu2+ (1M)/Cu, E° Fe2+ //Fe= -0.44V, E°Cu2+//Cu =+0.34 v
- জিংক তড়িৎদ্বারের প্রমাণ জারণ বিভব +0.76 V বলতে কী বুঝায়?
- কোন আয়নটির চার্জযুক্ত হওয়ার প্রবণতা তুলনামূলকভাবে কম?
- 25o C তাপমাত্রায় EoM3+/M = 1.42 V EoNi+/Ni2 = 0.25 Vযদি পাত্রটি M-ধাতুর তৈরি হয় তবে উদ্দিপকের দ্রবণটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে কি ? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো ।
- একজন শিক্ষার্থী দস্তা ধাতু নির্মিত পাত্রে ফেরাস সালফেট দ্রবণ রাখে। [জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে- 0.76 ভোল্ট ও + 0.44 ভোল্ট]কোষটির তড়িচ্চালক বল কত হবে?
- M/M2+ | N+/N; E°M/M2+ = 0.76 V, E°N/N+ = -0.46 Vকোষটির emf মান কত?
- Cu2+ -এর প্রমাণ বিজারণ বিভব E° (V) হলো-
- যদি Eocathode= +0.80V এবং Eoanode= -0.76V হয়, তবে গ্যালভানিক কোষের emf কত ভোল্ট হবে?
- e.m.f. এর সংজ্ঞা দাও।
- নিচের কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- একটি স্বতস্ফুর্ত বিক্রিয়ার-
- Which is an electric cell having active apparatus?
- তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় একসঙ্গে একধিক আয়ন থাকলে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- উদ্দীপকের C2+দ্রবণ A ধাতু ও B ধাতুর পাত্রে রাখা যাবে কিনা বিক্রিয়ার স্বতঃস্ফূর্ততার নীতি দিয়ে বিশ্লেষণ করো।