EoA/A2+ = - 0.34V এবং EoB/B2+ = 0.44V, তাহলে নিচের কোনটি সঠিক ?
A অ্যানোড রূপে কাজ করবে
প্রথমে, আমাদের দেওয়া তথ্য অনুযায়ী:
- অ্যাক্টিভিটি সূচক (Standard Reduction Potentials):
- EoA/A2+ = -0.34 V
- EoB/B2+ = 0.44 V
এখন, অর্ধ-প্রতিক্রিয়াগুলি লিখি:
- অ্যামুলের জন্য:
- বিরোধী অর্ধ-প্রতিক্রিয়া (অর্থাৎ, রিডাকশন):
A (ধাতু) ↔ A2+ + 2e-
A2+ + 2e- → A
অর্থাৎ, এলেকট্রোডের জন্য রিডাকশন সম্ভাবনা:
Eo = +0.34 V
(কারণ, Eo দেওয়া হয় রিডাকশন জন্য, তাই এটাই রিডাকশন সম্ভাবনা)একইভাবে, B এর জন্য:
- বিরোধী অর্ধ-প্রতিক্রিয়া:
B2+ + 2e- → B
এবং এর Eo = +0.44 V।
এখন, কোন ধাতু কোন ধাতুর দ্রবণে রাখতে হবে তা নির্ণয় করতে হলে, আমরা জেনে নেই যে:
ধাতুটি কোন ধাতুর দ্রবণে রাখা হলে, যদি তার ইলেকট্রোড সম্ভাবনা বেশি হয়, তাহলে সেটি অন্যটির উপর রাখতে নিরাপদ।
অর্থাৎ, যদি ধাতুটি আরও বেশি ধনাত্মক (positive) সম্ভাবনা ধারণ করে, তাহলে সেটি অন্যটির উপর রাখতে পারবে না।
এখানে, B (0.44V) এর সম্ভাবনা A (-0.34V) এর থেকে বেশি।
অর্থাৎ, B ধাতু ধাতুর পাত্রে রাখা নিরাপদ, কারণ B2+ দ্রবণকে A ধাতুর পাত্র রাখা যায় না, কিন্তু A ধাতুকে B দ্রবণে রাখা সম্ভব।
তবে, প্রশ্নে উল্লেখ হয়েছে: "B2+ দ্রবণকে A ধাতুর পাত্র রাখা যাবে"।
এটি অর্থাৎ, B2+ দ্রবণকে A ধাতুর পাত্রে রাখা সম্ভব নয়, কারণ B এর ইলেকট্রোড সম্ভাবনা বেশি।
অতএব, উল্টোটি সঠিক।
সুতরাং, উত্তরটি সঠিক নয়।
তবে, প্রশ্নের উত্তর হিসেবে, "B2+ দ্রবণকে A ধাতুর পাত্র রাখা যাবে" এই বিবৃতি ভুল।
অতএব, উপযুক্ত ব্যাখ্যা অনুযায়ী, উত্তর: "B2+ দ্রবণকে A ধাতুর পাত্র রাখা যাবে" ভুল, কারণ B এর সম্ভাবনা বেশি।
- যে কোষে তড়িৎ শক্তিকে রাসায়নিক শক্তিতে রূপান্তরিত করা হয়, তাকে বলা হয়-
- প্রমাণ তড়িৎদ্বার বিভব কী?
- Zn2+/Zn(s) এবং Cu2+/Cu(s) তড়িৎদ্বারদ্বয়য়ের প্রমাণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.34V হলে পূর্ণ কোষটির প্রমাণ বিভব কত?
- তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় একসঙ্গে একধিক আয়ন থাকলে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- কোন ক্যাটায়নটির ক্যাথোডে চার্জমুক্ত হওয়ার প্রবণতা বেশি?
- ppm তাপমাত্রার উপর নির্ভর করবে কি? ব্যাখ্যা করো। [C-2.4.5, S.B-SciCQ2 : 2023-24]
- ZN(s) । Zn2+(aq) ।। Cu2+(aq)। Cu(s) কোষের অ্যানোড ও ক্যাথোডের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76 V ও +0.34 V। কোষটির সামগ্রিক বিভব হবে-
- কোন ধাতুর প্রলেপ দিলে লোহাতে মরিচা ধরে না?
- Al ও Mg এর মধ্যে কোনটি কম সক্রিয় ধাতু - ব্যাখ্যা কর।
- নিম্নের কোন অক্সাইডকে হাইড্রোজেন গ্যাস দ্বারা বিজারিত করা যাবে ?
- M+M → M2++ M'(s) এখানে, E°M²+/M = + 0.34 V এবং E°M+/M = + 0.80 Vকোষটির EMF কত?
- অ্যানোড দ্রবণটিকে Zn ধাতু নির্মিত পাত্রে দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে কী না? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- E.M.F কী?
- কতিপয় ধাতুর জারণ বিভব এর মান দেয়া হলো:(i) A2+(aq)/A(s) =+0.40V(ii) B3+ (aq)/B(s) =+1.66V(iii) P2+(aq)/P(s)=+0.44V(i) নং দ্রবণ ও (ii) নং দ্রবণকে লবণ সেতু দ্বারা সংযোগ করে গঠিত কোষের মোট কোষবিভব নির্ণয় করো।
- A/A3 (0.05M) || B²+ (0.01M)/В; 25°С কোষটির জন্য Ecel = ?
- Pt, Fe2+(aq)/Fe3+(aq) || Cl2(g), Pt/Cl-(aq) ; যেখানে, EoFe3+/Fe2+ = + 0.8V, EoCl2/Cl- = +1.4Vউপরোক্ত কোষটির E.m.f কত ?
- কোষের emf এর সংজ্ঞা দাও।
- জিংক (Zn) এর জারণ বিভব কত?
- একসঙ্গে একাধিক আয়ন থাকলে তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- উদ্দীপকের T অর্ধকোষ দ্রবণকে D পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা? তোমার মতামত গাণিতিকভাবে বিশ্লেষন করো।[C-2.4.5, B.B-SciCQ4 : 2023-24]
- ধাতুসমূহের সক্রিয়তার ক্রম অনুযায়ী কোনটি সঠিক?
- P, Q, R, S ধাতুসমূহের প্রমাণ বিজারণ বিভব হলো যথাক্রমে -3.05V, -1.66V, 0.40V ও 0.80V। এদের কোনটি অধিক সবল বিজারক ?
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হয়?
- Which cell directly makes electric energy from its chemical energy?
- উদ্দীপকের তড়িৎ রাসায়নিক কোষটির প্রমাণ তড়িচ্চালক বল হিসাব করো।
- প্রমাণ হাইড্রোজেন তড়িৎদ্বারের বিভব কত?
- 300C P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1MQ3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5MR2+(aq)/R(s) = +0.44Vউদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।
- নিম্নের ধাতুগুলোর মধ্যে তড়িৎকোষ এ অ্যানোড রূপে ব্যবহৃত হওয়ার প্রবণতা কোনটির বেশি হবে?
- উদ্দীপকের তড়িৎবিশ্লেষ্যের দ্রবণটিকে দীর্ঘদিন দস্তাপাত্রে সংরক্ষণ সম্ভব হবে কিনা- গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।'[C-2.4.5, My.B-SciCQ4 : 2023-24]
- Zn এর বিজারণ বিভবের মান বলতে কি বুঝ।
- 25o C তাপমাত্রায় EoM3+/M = 1.42 V EoNi+/Ni2 = 0.25 Vযদি পাত্রটি M-ধাতুর তৈরি হয় তবে উদ্দিপকের দ্রবণটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে কি ? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো ।
- নিচের কোনটির চার্জমুক্ত হবার প্রবণতা অধিক?
- নিচের কোন মৌলটি সক্রিয়তার সিরিজে তুলনামূলকভাবে নিচে অবস্থিত?
- সর্বাধিক বিজারন ক্ষমতা কার?
- সক্রিয়তা সিরিজ অনুযায়ী কোনটি অধিক সক্রিয় ধাতু?
- (iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতু নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? • ব্যাখ্যা করো।
- নিচের কোনটি সক্রিয়তার ক্রমানুসারে সাজানো আছে?
- গলিত CaCl এর মধ্য দিয়ে IF তড়িৎ চালনা করলে ক্যাথোডে কত গ্রাম Ca ধাতু জমা হবে?
- তড়িৎ রাসায়নিক সক্রিয়তা সিরিজ অনুযায়ী নিচের কোনটি সঠিক?
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে কোনটি আগে চার্জমুক্ত হবে?