সেমিকন্ডাক্টররূপে নিচের কোন মৌলটি ব্যবহৃত হয়?
A. Ge
B. Al
C. Cu
D. Zn
VAPপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)VAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
Ge
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- বর্তনীতে যুক্ত সিলিকন ডায়োডের বিভব প্রাচীর 0.7V হলে বর্তনীর অ্যামিটার কত পাঠ দেখাবে?
- URL এর পূর্ণরূপ-
- Si হতে n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- ডোপিং কী?
- p - জাংশন ডায়োডে বিমুখী ঝোঁক প্রদান করলে নিঃশেষিত স্তর বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট ও গতীয় রোধের মধ্যে সম্পর্ক হল- R = elo; যখন কারেন্ট 1mA তখন ভোল্টেজ ছিল eV। কত mA কারেন্টে 7V পাওয়া যাবে? [R ও In যথাক্রমে kil ও mA এককে প্রকাশিত)
- ডোপিং কীভাবে অর্ধ পরিবাহীর তড়িৎ পরিবাহিতাকে প্রভাবিত করে ব্যাখ্যা কর।
- সৌর কোষ নিচের কোন ধরন???র যন্ত্রের মধ্যে পড়ে?
- কোনো p-n জাংশনে 1V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ পাওয়া গেল 10mA, বিভব পার্থক্য 1.2V করা হলে প্রবাহ পাওয়া যায় 15mA, গতীয় রোধ কত?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কী ডোপায়িত করা হয়?
- চারটি ডায়োড ব্যবহার করে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেকটিফায়ার সার্কিট অঙ্কন করো।
- pn জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্রেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- p-n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির কারণ হলো-
- একটি p-n জাংশনের গতীয় রোধ 40Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- X ও Y যথাক্রমে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল। এদেরকে সিলিকন দণ্ডে ডোপিং করে তুমি একটি ডায়োড তৈরি করলে। এখন X মৌলকে অন্য একটি সিলিকন খন্ডের মাঝখানে ডোপিং করে একটি ট্রানজিস্টরও তৈরি করলে। এটি দেখে তোমার বন্ধু Y মৌলকে মাঝখানে ডোপিং করে আরেকটি ট্রানজিস্টর তৈরি করলো।তোমার তৈরিকৃত ডায়োডটির সম্মুখ ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁক এর বায়াস বর্তনী দেখাও।
- কোনটি রেকটিফায়ার হিসেবে কাজ করে?
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- নিবৃত্তি বিভব কী?
- রেকটিফায়ারে কীভাবে AC সিগনালকে DC সিগনালে পরিণত করে লেখচিত্রের সাহায্যে দেখাও কীভাবে smooth করা যায় ব্যাখ্যা করো।