42°C তাপমাত্রায় Sn | SnCl2 (0.70M) অর্ধকোষটির কোষ বিভব (emf) কত হবে? এখানে E°Sn/Sn++= 0.14 volt]
A. 0.1352 volt
B. 0.1352 volt
C. 0.1458 volt
D. 0.1448 volt
সঠিক উত্তরঃ
D.
0.1448 volt
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- নিচের কোন আয়নের ঘনমাত্রায় Zn(s)/Zn2+(aq) II Fe3+ (aq)/Fe2+(aq), Pt(s) সেলের বিভব, এর প্রমাণ সেল বিভবের চেয়ে বেশি? (In which of the following ion concentration, the potential of the cell, Zn(s)/Zn2+(aq) II Fe3+ (aq)/Fe2+(aq), Pt(s) is higher than its standard cell potential?)
- দেওয়া আছে, Eox2+/x= -0.44 V, Eo y2+/y= +0.34 Vউদ্দীপকের কোষটির মোট বিভব গণনা কর।
- Y-এর কোন মানের জন্য চিত্র-২ কোষটি সাম্যাবস্থা প্রাপ্ত হবে না- নির্ণয় কর।
- pH মিটারে কোন সমীকরণ ভিত্তিক "Concentration cell" এর মূলনীতি কার্যকর রয়েছে?
- Zn2+(aq)/Zn(s) এবং Cu2+(aq)/Cu(s) ইলেক্ট্রোডের বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.34 V। উক্ত ইলেকট্রোড সমন্বয়ে গঠিত কোষের প্রমাণ বিভব কত হবে?
- 30°C তাপমাত্রায় Zn | Zn2+ (সম্পৃক্ত Zn(OH)2 দ্রবণ) ||Zn2+ (0.1M) | Zn কোষটির তড়িৎচালক বল কত হবে নির্ণয় কর। [30°C তাপমাত্রায় Ksp (Zn(OH)2 = 3 x 10-12]
- Fe/Fe++(0.13 M) || Ag+(0.0004 M)| Ag T=25°C, EoFe++/Fe =-0.44V EoAg+/Ag =+0.80Vউদ্দীপকের অর্ধকোষ দুইটি আলাদাভাবে প্রমাণ হাইড্রোজেন অর্ধকোষের সাথে যুক্ত করে কোষ গঠন করলে উৎপন্ন কোষ দুইটির মধ্যে কী পার্থক্য পরিলক্ষিত হবে চিত্রসহ ব্যাখ্যা করো।
- যদি Ni(s)|Ni2+ (0.01M)||Cu2+ (0.1M)|Cu(s) সেলের সেল বিভব 0.59V হয়, তাহলে Ni2+|Ni(s) তড়িৎদ্বারের প্রমান তড়িৎদ্বার বিভব কত হবে? দেওয়া আছে Cu2+|Cu(s)= 0.34 V.
- দ্রবণে ধাতব আয়ন বৃদ্ধির সঙ্গে সঙ্গে তার অসমোটিক চাপ কী হয়?
- Zn(s)+Ni2+(aq) (0.1 M)→ Zn2+ (aq)(0.1 M)+Ni(s)Zn এর প্রমাণ জারণ বিভব = 0.76 V এবং Eocell=0.51 V25°C তাপমাত্রায় Ni2+(aq)(0.1M)→ Ni(s) এর অর্ধকোষ বিভব নির্ণয় কর।
- A(s)/A2+(C₁)|| B2+(C₂)/B(s) ; 25°C তাপমাত্রায় কোষটির Ecell এবং Eocell এর পার্থক্য 0.0591 হলে C₁ ও C₂ এর অনুপাত কত হবে?
- দেওয়া আছে, E°Fe2+/Fe=-0.44 V এবং E°Cu2+/Cu=+0.34 Vউদ্দীপকের Q কোষের কোষ বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে কি? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- EA/A2+=+1.18V, EB2+/B=+0.34Vচিত্র-১ এর কোষটির তড়িচ্চালক বল (EMF) নির্ণয় করো।
- 25°C তাপমাত্রায় একটি কোষ নিম্নরূপ: Al/Al3+(0.2M) || B2+(0.1M)/Bযেখানে E°Al/Al3+= +1.60V; E°B/B2+= +0.44V; E°Zn2+/Zn= -0.76V এবং E°Cu2+/Cu= +0.34Vউদ্দীপকের কোষটির emf হিসেব কর।
- 25°C তাপমাত্রায় নিচের কোষটির তড়িচ্চালক বলের মান কত? Zn | Zn2+ (0.001 M) || Ag+ (0.1 M) | Ag [Eocell = 1.56 V]
- 298 K তাপমাত্রায় নিম্নোক্ত তড়িৎ রাসায়নিক কোষের জন্য, x এর মান নির্ণয় কর। Pt(s)|H2(g)(1 bar)|H+(aq) (1M) | |M4+ (aq), M²+(aq) | Pt(s)[ EoM4+/M2+=0.151 V;Ecell=0.092 V , [M^(2+)/M^(4+)]=10^x
- নিচের তথ্যগুলো লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও: E°M2+/M= 0.34 V (i) E°A3+/A = 0.77 V (ii) E°B-/B= 0.54 Vউদ্দীপকের (i) ও (ii) নং দ্বারা কোষ গঠন করে সাম্যধ্রুবকের মান গণনা কর।
- Zn/Zn2+ (M₁) || Cu2+ (M₂)/Cu কোষের কোষ বিক্রিয়ার ফলে 25°C তাপমাত্রায় (M₁ = 0.04M, M₂ = 0.001M) ও (M₁ = 1 0.002M, M2 = 0.015M) এর জন্য মুক্তশক্তির পরিবর্তনের পার্থক্য বের কর। [দেওয়া আছে Zn2+/Zn = -0.76 V এবং Cu2+/Cu = +0.34V (প্রমাণ অবস্থায়)]
- তড়িৎদ্বার বিভবের উৎসের ব্যাপারে কোন বিজ্ঞানী তত্ত্ব উপস্থাপন করেন?
- Mg(s)|Mg2+(aq)||Ag+(aq)|Ag(s) তড়িৎকোষটির তড়িচ্চালক বলের মান কত? এক্ষেত্রে, [Mg2+] = 1.0 × 10-4M এবং [Ag+] = 0.01M, 298 K তাপমাত্রায় E°Ag+/Ag = +0.80V এবং E°Mg2+/Mg = -2.37V