কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হয়?
A.
Cu2+
B.
H+
C.
Au3+
D.
Ag+
সঠিক উত্তরঃ
C.
Au3+
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে কোন ক্যাটায়নটি আগে চার্জযুক্ত হবে?
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জ মুক্ত হবে?
- নিম্নের ধাতুগুলির কোনটি জলীয় সিলভার নাইট্রেট দ্রবণে ডুবালে এর পৃষ্ঠতলে সিলভার জমা হবে না?
- লোহার পাত্রে নিম্নের কোন দ্রবণটি রাখা যবে?
- উদ্দীপকের তড়িৎ বিশ্লেষ্যকে (ii) নং পাত্রে দীর্ঘ দিন সংরক্ষণ করা যাবে কি? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর
- ধাতু সমূহের সক্রিয়তার ক্রম অনুযায়ী কোনটি সঠিক নয় ?
- কতিপয় ধাতুর জারণ বিভব এর মান দেয়া হলো:(i) A2+(aq)/A(s) =+0.40V(ii) B3+ (aq)/B(s) =+1.66V(iii) P2+(aq)/P(s)=+0.44V(iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতুর নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? সক্রিয়তার ক্রম দিয়ে বিশ্লেষণ করো।
- নিচের কোনটি H2O(g) থেকে H2 কে প্রতিস্থাপন করতে পারে?
- Zn2+||Zn এবং Ag+||Ag তড়িৎধার (electrode) দুটির বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76 এবং +0.80। এই তড়িৎধার দুটি দ্বারা তৈরি কোষের মোট বিভব কত?
- A/A3 (0.05M) || B²+ (0.01M)/В; 25°С কোষটির জন্য Ecel = ?
- M/M2+ | N+/N; E°M/M2+ = 0.76 V, E°N/N+ = -0.46 Vকোষটির emf মান কত?
- A(s)/A3+(0.2M) || B2+(0.15M)/B(s)এখানে,E°A(s)/A3+=+0.74V ;E°B2+/B(s)=+0.25V; E°C(s)/C2+=+0.74VA অথবা B ধাতু দ্বারা গঠিত পাত্রে কি C2+এর দ্রবণ সংরক্ষণ সম্ভব? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- উদ্দীপকের কোষটির জন্য-i. Ecell = E°Zn/Zn2+ + E°Cu/Cu2+ii. Ecell= E°Zn/Zn2+ - Ecu²+/cuiii. Ecell = Ecu²+/cu-EZn2+/zn নিচের কোনটি সঠিক?
- উদ্দীপকের তড়িৎ বিশ্লেষ্য দ্রবণটিকে দীর্ঘদিন দস্তাপাত্রে সংরক্ষণ সম্ভব হবে কিনা তা গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- e.m.f এর সংজ্ঞা দাও।[C-2.4.5, R.B-SciCQ1 : 2023-24]
- উদ্দীপকের কোষ-২ এর e.m.f নির্ণয় করো।
- প্রমাণ তড়িৎদ্বার বিভব কী?
- i নং কোষটির তড়িৎ চালক বলের মান নির্ণয় করো।
- Al ও Mg এর মধ্যে কোনটি কম সক্রিয় ধাতু - ব্যাখ্যা কর।
- Zn(s)+Ni2+(aq) (0.1 M)→ Zn2+ (aq)(0.1 M)+Ni(s)Zn এর প্রমাণ জারণ বিভব = 0.76 V এবং Eocell=0.51 VZn এর পারে FeSO4 দ্রবণ রাখা যাবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।[EoFe2+/Fe= -0.44 V]
- E0[Al3+/Al]= -1.66V; E0[Cu2+/Cu]= +0.34V; E0]Fe2+/Fe]= -0.44Vউদ্দীপকের কোষটির emf হিসাব করে দেখাও।
- 55°C তাপমাত্রায় নিচের কোষের emf কত volt?Eº for Zn = 0.758 Volt, Zn/ZnCl2 (0.09M)
- E°M2+/M=-0.25 V, E°M'+/M'=+0.799 V, E°Zn2+/Zn=-0.76Vউদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবণকে জিংক-এর পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা- গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- ppm তাপমাত্রার উপর নির্ভর করবে কি? ব্যাখ্যা করো। [C-2.4.5, S.B-SciCQ2 : 2023-24]
- একটি 30W-100V বাল্ব এবং একটি 40W-100V বাল্ব 80V লাইনে সিরিজে যুক্ত। কোনটি বেশি উজ্জ্বলভাবে জ্বলবে?
- উদ্দীপক অনুসারে প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও :[E°Ni2+/Ni=-0.25 V ;E°Cu2+/Cu=+0.34 V ;E°Zn2+/Zn=-0.76 V]উদ্দীপকের চিত্র-2 এর কোষটির কোষ বিভবের মান নির্ণয় কর।
- উদ্দীপকের ASO4 দ্রবণ B পাত্রে এবং BSO4 দ্রবণ A পাত্র রাখা কোনটি যুক্তিযুক্ত হবে তা বিশ্লেষণ করো।
- শুষ্ককোষের EMF মান কত?
- (b) HNO3, এবং H3PO4, এর মধ্যে কোনটি অধিক শক্তিশালী? তোমার উত্তরের যথার্থতা ব্যাখ্যা কর।
- E_(cr"/"cr^(2+))^o=2.71V E_(Fe"/"Fe^(2+))^0 = +1.44VE_(Al"/"Al^(3+))^0 = +1.66Vউদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবণটিকে AI ধাতু নির্মিত পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা? গাণিতিক যুক্তি দাও।
- নিচের কোনটি সঠিক?
- কোনটি H2SO4 থেকে H+ কে প্রতিস্থাপন করতে পারে না?
- একটি কোষ এর কোষ বিক্রিয়া হচ্ছে-Sn+ I2→Sn2+ + 2I–কোষটির কোষ ডায়াগ্রাম হচ্ছে–
- নিচের কোন মৌলটি HCI এসিড থেকে H প্রতিস্থাপন করতে পারে?
- উদ্দীপকের অর্ধকোষ দুটি দ্বারা সৃষ্ট কোষের তড়িচ্চালক বল হিসাব করো।[C-2.4.5, B.B-SciCQ3 : 2023-24]
- (i)E°A2+(aq)/A(s)=+0.20 volt(ii)E°B2+(aq)/B(s)=-0.62 volt(iii)E°X2+(aq)/X(s)=-0.80 voltB2+ এর দ্রবন 'A' এবং 'X' ধাতু নির্মিত কোন পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- গ্যালভানাইজিং প্রক্রিয়ায় কোন ধাতুর প্রলেপ দেওয়া হয়?
- তড়িৎ রাসায়নিক কোষের emf = ?E0Anode(ox)+E0cathode(Red)E0cathode(Red)−E0Anode(Red)E0Anode(ox)−E0cathode(Red)কোনটি সঠিক?
- কোন আয়নটির চার্জযুক্ত হওয়ার প্রবণতা তুলনামূলকভাবে কম?
- Cl2(g) +2e- → 2 Cl-(aq); E° = + 1.36 Volt Cu²+(aq) + 2e- → Cu(s); E° = + 0.34 Volt উদ্দীপকের কোনটির বিভব কত ভোল্ট?
