সক্রিয়তার সিরিজে সবচেয়ে বেশি সক্রিয় ধাতু কোনটি?
A. Na
B. Au
C. K
D. Li
MAPরসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়নতড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজ (Topic Practice)MAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
D.
Li
Explanation: [হাজারী স্যার: সংস্করণ-২০২২, পৃষ্ঠা-৫৭৩]
Related Questions (Any University/Year)
- X(s)/X+(aq) [0.01M] || Y2+(aq) [0.02M]/Y(s)এখানে, Eox+/x = +0.799 V এবং EoY/Y2+ = +2.87 V [ Br এর পা.ভর. 79.9 ]প্রদত্ত বিক্রিয়া এবং তার বিপরীত বিক্রিয়ার ক্ষেত্রে emf এর কোনো পরিবর্তন হবে কি ? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর ।
- Zn/ZnSO4(aq)।। CuSO4/Cu এদের E0 এর মান যথাক্রমে + 0.76V এবং + 0.34Vযদি Cu তড়িৎদ্বারের পরিবর্তে Ag তড়িৎদ্বার ব্যবহার করা হয় হত তবে কি ধরণের পরিবর্তন হতো- তোমার উত্তরের সঠিকতা যাচাই করো।Ag এর E0 এর মান + 0.80 V।
- (i) 2-ব্রোমো বিউটেন + NaOH(aq) → y + অন্যান্য (ii) Mg(s) + Ag2SO4(aq) [0.02 M] Ag(s) + Mg2+(aq) [0.03 M]যেখানে, EMg2+/Mg = -2.36 V এবং EAg/Ag+ = -0.80 V(ii) নং এর ক্ষেত্রে প্রদত্ত বিক্রিয়ার স্বতঃস্ফূর্ততা বিশ্লেষণ করো।
- A(s) + BSO_4 (aq) -> ASO_4 (aq) + B (s)E0A2+ (aq)/A(s) = - 0.76VE0 B2+(aq)/B(s) = +0.44Vউদ্দীপকের বিক্রিয়ার তথ্যানুযায়ী - ‘B’-পাত্রে ASO4 রাখা যাবে ‘A’-পাত্রে BSO4 রাখা যাবে ক্যাথোডে B2+ আয়ন A2+ আয়নের আগে চার্জমুক্ত হবে কোনটি সঠিক?
- নিচের কোন মৌলটি HCI এসিড থেকে H প্রতিস্থাপন করতে পারে?
- নিচের কোন ধাতুটি এসিড থেকে H2-কে প্রতিস্থাপিত করতে পারে?
- নিকেল, সিলভার এবং জিংক এর প্রমাণ বিজারণ বিভবের মান যথাক্রমে -0.25V, +0.799V এবং -0.76V|উদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবণটিকে জিংক এর পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা গাণিতিকভাবে মূল্যায়ন করো।
- তড়িৎ বিভবের একক কোনটি?
- সাধারণ অবস্থায় একটি ভোল্টায়িক বৈদ্যুতিক সেলের e.m.f. হবে?
- উদ্দীপকের তড়িৎ বিশ্লেষ্যকে (ii) নং পাত্রে দীর্ঘ দিন সংরক্ষণ করা যাবে কি? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর
- লোহার পাত্রে নিচের কোন দ্রবণ রাখা যাবে না?
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
- একটি কোষ এর কোষ বিক্রিয়া হচ্ছে-Sn+ I2→Sn2+ + 2I–কোষটির কোষ ডায়াগ্রাম হচ্ছে–
- 300C P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1MQ3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5MR2+(aq)/R(s) = +0.44Vউদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।
- Zn(s)|Zn2+(aq)||Cu2+(aq)|Cu(s) কোষের অ্যানোড ও ক্যাথোডের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে –0.76 V ও 0.34 V। কোষটির সামগ্রিক বিভব–
- M/M2+ || N+/N, E°M/M²+ = 0.76 volt এবং E°N/N+= –0.4 volt. প্রদত্ত কোষটির e.m.f কত volt?
- নিচের কোন অ্যানায়নটি দ্রবণ থেকে আগে চার্জমুক্ত হবে?
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে কোন ক্যাটায়নটি আগে চার্জযুক্ত হবে?
- Pt,1/2 H2(g)/H+(aq) ∥ Cu2+(aq)/Cu(s),E°Cu2+(aq)/Cu(s)=+0.34V কোষটির জন্য ইএমএফ এর মান কোনটি?
- ধাতু সমূহের সক্রিয়তার ক্রম অনুযায়ী কোনটি সঠিক নয়?