একটি অর্ধপরিবাহীকে n-টাইপ করার জন্য যে অপদ্রব্য মিশানো হয় তাহলো-
A. ত্রিযোজী
B. চতুর্যোজী
C. পঞ্চযোজী
D. দ্বিযোজী
MAPপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)MAP - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
C.
পঞ্চযোজী
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- p-n জাংশনে 300 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনে দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তিত হলে গতীয়রোধ কত?
- Forward bias এ PN জাংশনের ডিপ্লেশন স্তর-
- রোধের উষ্ণতা গুণাঙ্ক কী?
- উদ্দীপকের p-n অংশের গতীয় রোধ নির্ণয় করো।
- p - জাংশন ডায়োডে বিমুখী ঝোঁক প্রদান করলে নিঃশেষিত স্তর বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- কোনো p-n জাংশনে 0.2V বিভব পার্থক্য পরিবর্তনের জন্য 5 mA বিদ্যুৎ প্রবাহের পরিবর্তন পাওয়া গেল। জাংশনের রোধ কত হবে?
- n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরি করতে কোন ধরনের অপদ্রব্যের প্রয়োজন?
- চিত্রে আদর্শ ডায়োড ব্যবহার করা হয়েছে।Vin ইনপুট সিগনাল হলে, আউটপুট কোনটি?
- Forward bias এর ক্ষেত্রে বিভব বাড়ালে কোনটি ঘটে?
- উপরের চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V রোধের মধ্যে দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহমাত্রা কত?
- What is the resistance of the junction if in a p-n junction for potential difference 0.2 V, 5 mA electric flow change is observed?
- ডায়োডের জেনার ক্রিয়া ব্যাখ্যা কর।
- নিচের কোনটি n-p-n ট্রানজিস্টর?
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তড়িৎ নিরপেক্ষ কিনা-ব্যাখ্যা করো।
- Si হতে n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়-
- চিত্র C একটি সিলিন্ডার, যার A অংশটি ফাঁপা এবং B অংশটি পরিবাহী দ্বারা তৈরি। ফাঁপা অংশের ব্যাসার্ধ R1 ও নিরেট কন্ডাক্টর অংশের ব্যাসার্ধ R2। ২.৫(a) R1 দূরত্বে E=? (০১) (b) R1 ও R2 এর মধ্যের অংশে E=? (১.৫)
- For a current I flowing through a conductor, the magnetic field induced at a point near the conductor is-
- Break down voltage কাকে বলে?
- মুক্ত ইলেকট্রন কী?
- জেনার বিভব কাকে বলে?