নিচের তথ্যসমূহ লক্ষ্য কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও:
A(s)/A2+(0.5M) || B2+ (0.3M)/B(s)
(i)E°A2+/A = - 0.76V
(ii) E°B²+/B =+0.34 V
(ii) E°C+/C = - 0.79V
ইলেকট্রোড i, ii ও iii দ্বারা গঠিত সম্ভাব্য কোষগুলোর কোনটি থেকে অধিক পরিমাণ বিদ্যুৎ উৎপন্ন হবে যুক্তি দাও।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- ক্যাডমিয়াম সালফেট দ্রবণে কোনটি যোগ করলে কঠিন ক্যাডমিয়াম পাওয়া যাবে?
- e.m.f এর সংজ্ঞা দাও।
- যদি Eocathode= +0.80V এবং Eoanode= -0.76V হয়, তবে গ্যালভানিক কোষের emf কত ভোল্ট হবে?
- নিচের কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- উদ্দীপকের ১ম কোষের দ্রবণটিকে B ও C পাত্রে দীর্ঘ সংরক্ষণের এক হবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- K+ এর বিজারণ E₀ হলো-
- Zn(s)⇌ Zn2+ +2e এবং Cu(s) ⇌ Cu2+ +2e বিক্রিয়া দুটির প্রমাণ জারণ তড়িৎ দ্বারা বিভব যথাক্রমে +0.76. -0.337V. Zn+Cu2+ ⇌ Zn2+ Cu কোষের মোট বিভব কত ?
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি দ্রবণ থেকে আগে চার্জযুক্ত হবে?
- যদি Zn ও Ag তড়িৎদ্বারের জারণ বিভব যথাক্রমে + 0.76 V ও - 0.80 V হয়, তবে Zn/Zn2+ |Ag+/Ag কোষের emf হবে কোনটি?
- নিচের কোনটি তড়িৎ রাসায়নিক সারিতে ধাতুর সক্রিয়তার সঠিক ক্রম?
- জিংক ও সিলভার তড়িৎ দ্বারের বিজারণ বিভবের মান যথাক্রমে -0.76V ও + 0-80V । এই তড়িৎ দ্বার দুটি দ্বারা তৈরি কোষের মোট বিভব কত?
- (i) Cd/Cd2+(aq) || H+(aq)/H2, Pt; E°cell = +0.398V(ii)Cd/Cd2+(aq) || Ni2+(aq)/Ni; E°cell = +0.148Vউদ্দীপকে Ni2+(aq)/Ni এর তড়িৎদ্বারের বিভব কত?
- কোষের emf -জারণ ও বিজারণ বিভবের উপর নির্ভরশীলআয়নের ঘনমাত্রার উপর নির্ভরশীলগ্যাসের চাপের উপর নির্ভরশীল নিচের কোনটি সঠিক ?
- Zn(s)+Ni2+(aq) (0.1 M)→ Zn2+ (aq)(0.1 M)+Ni(s)Zn এর প্রমাণ জারণ বিভব = 0.76 V এবং Eocell=0.51 VZn এর পারে FeSO4 দ্রবণ রাখা যাবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।[EoFe2+/Fe= -0.44 V]
- উদ্দীপকের কোষটির জন্য-i. Ecell = E°Zn/Zn2+ + E°Cu/Cu2+ii. Ecell= E°Zn/Zn2+ - Ecu²+/cuiii. Ecell = Ecu²+/cu-EZn2+/zn নিচের কোনটি সঠিক?
- 25oC তাপমাত্রায় পটাশিয়ামের প্রমান বিজারন বিভব কত ?
- একটি বস্তু কঠিন অবস্থায় বিদ্যুৎ পরিবাহী নয় কিন্তু তরল অবস্থা বা দ্রবণে তা বিদ্যুৎ পরিবাহী। এতে কোন ধরণের বন্ধন বিদ্যমান?
- প্রমাণ বিভবঃ Zn/Zn2+→ 0.76 V; Pb/Pb2+ → 0.13 V হলে E°cell?
- ধাতু সমূহের সক্রিয়তার ক্রম অনুযায়ী কোনটি সঠিক নয়?
- নিম্নের কোন অক্সাইডকে হাইড্রোজেন গ্যাস দ্বারা বিজারিত করা যাবে?
- Zn(s) + FeSO4(aq) ⟶ ZnSO4(aq) + Fe(s) E°Zn/Zn2+ = +0.76 V E°Fe/Fe2+ = +0.44 V উদ্দীপকে বর্ণিত সেলটির কোষ বিভব কত?
- A(s) + BSO_4 (aq) -> ASO_4 (aq) + B (s)E0A2+ (aq)/A(s)= - 0.76VE0 B2+(aq)/B(s) = +0.44Vউদ্দীপকের কোষটির কোষ বিভব হলো—
- (iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতু নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? • ব্যাখ্যা করো।
- Li\(^+\) -এর প্রমাণ বিজারণ বিভব E\(^o\) (V) হলো-
- উদ্দীপক কোষে M ধাতুর ক্ষয় রো ধ কমে কি কি পদক্ষেপ গ্রহণ করা যেতে পারে-যুক্তিসহ তা ব্যাখ্যা কর।
- ব্যাটারির অর্ধকোষ বিক্রিয়া দেখাও এবং প্রমাণ মুক্তশক্তির পরিবর্তন নির্ণয় করো।
- লোহার পাত্রে নিম্নের কোন দ্রবণটি রাখা যবে?
- নিচের কোন তড়িৎদ্বারটির প্রমাণ বিজারণ বিভবের মান সবচেয়ে কম?
- একজন শিক্ষার্থী দস্তা ধাতু নির্মিত পাত্রে ফেরাস সালফেট দ্রবণ রাখে। [জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে- 0.76 ভোল্ট ও + 0.44 ভোল্ট]কোষটির তড়িচ্চালক বল কত হবে?
- ডান অর্ধকোষ উপেক্ষা করে Fe/FeSO4 অর্ধকোষ ব্যবহার করা হলে কোষ বিভব কত ভোল্ট হবে?
- গ্যালভানাইজিং প্রক্রিয়ায় কোন ধাতুর প্রলেপ দেওয়া হয়?
- কোষে X2+ এর ঘনমাত্রা পরিবর্তন করে 0.3 M করা হলে বৈদ্যুতিক বাতির উজ্জ্বলতার পরিবর্তন হবে কি না বিশ্লেষণ করো।
- A(s)/A3+(0.2M) || B2+(0.15M)/B(s)এখানে,E°A(s)/A3+=+0.74V ;E°B2+/B(s)=+0.25V; E°C(s)/C2+=+0.74VA অথবা B ধাতু দ্বারা গঠিত পাত্রে কি C2+এর দ্রবণ সংরক্ষণ সম্ভব? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- Zn2+|Zn এবংAg2+|Ag তড়িৎদ্বার দুটির বিজারণ বিভব -0.76V এবং +0.80 V. এই তড়িৎদ্বার দুইটি দ্বারা তৈরী কোষের মোট বিভব কত হবে?
- তড়িৎ রাসায়নিক সিক্রিয়তা সিরিজে নিচের কোনটি সঠিক?
- ধাতু ক্ষয় একটি রাসায়নিক প্রক্রিয়া- ব্যাখ্যা কর।
- E0Fe3+|Fe2+=0.77 V এবং E0Cl2|Cl-=1.36 V হলে, Pt, Cl2(g) | Cl-(aq) || Fe2+(aq), Fe3+(aq) | Pt তড়িৎ কোষের প্রমাণ বিভব-
- যদি নিচের চারটি সেলের emf এর মান যথাক্রমে E1, E2, E3 ও E4 হয় তাহলে নিচের কোন কোনটি সঠিক?Zn|Zn2+ (0.1M)||Ag+(1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(0.1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(1M)|Ag(Zn|Zn2+ (0.02M)||Ag+(0.1M)|Agনিচের কোন কোনটি সঠিক?
- উদ্দীপকের কোষটির তড়িৎচালক বল হিসাব করো।
- EZn/Zn2+=+0.76V এবং EAg/Ag+=-0.799V তড়িৎদ্বার সমন্বয়ে গঠিত কোষের e.m.f কত ভোল্ট ?
