একটি ইলেকট্রন উচ্চতর শক্তি স্তর থেকে নিম্নতর শক্তি স্তরে গমন করলে 1eV এর শক্তি বিকীর্ণ করলে ঐ বিকির্ণ শক্তির তরঙ্গদৈর্ঘ্য-

ইলেকট্রন কর্তৃক বিকীর্ণ শক্তির তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ণয় 💡
একটি ইলেকট্রন যখন উচ্চ শক্তিস্তর থেকে নিম্ন শক্তিস্তরে গমন করে, তখন তা শক্তি বিকিরণ করে। এই বিকিরিত শক্তির তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ণয় করার জন্য আমরা নিম্নলিখিত সূত্রটি ব্যবহার করতে পারি:
\(E = \frac{hc}{\lambda}\) ⚛️
যেখানে:
- \(E\) = বিকিরিত শক্তি (eV এককে) ⚡
- \(h\) = প্ল্যাঙ্কের ধ্রুবক (\(4.135 \times 10^{-15} eV \cdot s\)) ℏ
- \(c\) = আলোর বেগ (\(3 \times 10^8 m/s\)) 🚀
- \(\lambda\) = তরঙ্গদৈর্ঘ্য (m এককে) 🌊
প্রশ্নানুসারে, \(E = 1 eV\)। আমাদের \(\lambda\) এর মান নির্ণয় করতে হবে।
সুতরাং, \(\lambda = \frac{hc}{E}\)
মান বসিয়ে পাই,
\(\lambda = \frac{4.135 \times 10^{-15} eV \cdot s \times 3 \times 10^8 m/s}{1 eV}\)
\(\lambda = 12.405 \times 10^{-7} m\)
\(\lambda = 1240.5 \times 10^{-9} m\)
\(\lambda = 1240.5 nm\)
অতএব, বিকিরিত শক্তির তরঙ্গদৈর্ঘ্য প্রায় 1240 nm। ✅
সংক্ষিপ্ত পদ্ধতি:
আমরা সরাসরি এই সূত্রটি ব্যবহার করতে পারি: \(\lambda (nm) = \frac{1240}{E (eV)}\)
এখানে, \(E = 1 eV\), সুতরাং \(\lambda = \frac{1240}{1} = 1240 nm\)
সুতরাং, সঠিক উত্তর: 1240 nm 😊
```